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公开(公告)号：CN101430509B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810178027.4
申请日：2005-01-21
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了沉浸式石印流体，以及可以添加到沉浸流体中的合适添加剂，包含选自水流体、非水流体和其混合物的至少一种载体介质的沉浸流体，和包含至少一种载体介质和至少一种添加剂的沉浸流体，该至少一种添加剂在140nm到365nm的工作波长下可用于进行沉浸式石印。
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公开(公告)号：CN102311863A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110197916.7
申请日：2011-07-11
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C10M173/02 , B28D5/04
CPC classification number: C11D3/2082 , B28D5/0076 , C11D1/14 , C11D3/044 , C11D3/2075 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D11/0047 , H01L21/02076 , H01L21/67075 , H01L21/78 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/94 , H01L2224/03
Abstract: 本发明涉及晶片切割方法及用于该方法的组合物。本发明公开了一种用于半导体晶片切割的溶液。该溶液在通过锯切切割晶片的中抑制污染残留物可微粒的粘附并减少或消除暴露的金属化区域的腐蚀。所述溶液包含至少一种有机酸和/或其盐；至少一种表面活性剂和/或至少一种碱；和去离子水，该组合物具有等于或大于4的pH。该溶液可进一步包含螯合剂、消泡剂或分散剂。
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公开(公告)号：CN103620753B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201280030395.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , C11D7/265 , C11D11/0047 , H01L21/4835 , H01L23/3107 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83855 , H01L2224/8501 , H01L2224/85011 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2224/85
Abstract: 处理半导体衬底以从其除去不想要的物质或为后续接合准备所述半导体衬底的表面的方法，其中所述衬底包含引线框，所述引线框包含管芯、接合焊盘、触头、和导线，所述方法包括将所述衬底与可用于所述方法的液体清洁组合物相接触的步骤。
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公开(公告)号：CN1173486A
公开(公告)日：1998-02-18
申请号：CN97113436.7
申请日：1994-07-01
Applicant: 气体产品与化学公司
Inventor： F·C·威廉 , T·R·加夫尼 , G·E·帕里斯 , B·A·奥夫丹姆布林克
IPC: C07C209/02 , C07C211/04
CPC classification number: Y02P20/584
Abstract: 本发明涉及在催化剂存在下对含甲胺物料进行重整,其中高转化率下达到低TMA选择性的关键在于利用一种微孔性沸石催化剂,优选合成菱沸石催化剂,此催化剂的几何选择性指数(GSI)小于约3,形状选择性指数(SSI)高于约5,对1－PrOH的吸附能力至少为0.5mmol/g,而合成菱混石中的阳离子主要是选自H、Li、Na、K、Rb和Cs的碱金属离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102311863B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110197916.7
申请日：2011-07-11
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C10M173/02 , B28D5/04
CPC classification number: C11D3/2082 , B28D5/0076 , C11D1/14 , C11D3/044 , C11D3/2075 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D11/0047 , H01L21/02076 , H01L21/67075 , H01L21/78 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/94 , H01L2224/03
Abstract: 本发明涉及晶片切割方法及用于该方法的组合物。本申请公开了一种用于半导体晶片切割的溶液。该溶液在通过锯切切割晶片的中抑制污染残留物可微粒的粘附并减少或消除暴露的金属化区域的腐蚀。所述溶液包含至少一种有机酸和/或其盐；至少一种表面活性剂和/或至少一种碱；和去离子水，该组合物具有等于或大于4的pH。该溶液可进一步包含螯合剂、消泡剂或分散剂。
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公开(公告)号：CN1648773A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510054221.8
申请日：2005-01-21
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了可以添加到沉浸流体中的合适添加剂，包含选自水流体、非水流体和其混合物的至少一种载体介质的沉浸流体，和包含至少一种载体介质和至少一种添加剂的沉浸流体，该至少一种添加剂在140nm到365nm的工作波长下可用于进行沉浸式石印。
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公开(公告)号：CN103620753A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280030395.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , C11D7/265 , C11D11/0047 , H01L21/4835 , H01L23/3107 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83855 , H01L2224/8501 , H01L2224/85011 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025
Abstract: 处理半导体衬底以从其除去不想要的物质或为后续接合准备所述半导体衬底的表面的方法，其中所述衬底包含引线框，所述引线框包含管芯、接合焊盘、触头、和导线，所述方法包括将所述衬底与可用于所述方法的液体清洁组合物相接触的步骤。
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公开(公告)号：CN1122017C
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN97113436.7
申请日：1994-07-01
Applicant: 气体产品与化学公司
Inventor： F·C·威廉 , T·R·加夫尼 , G·E·帕里斯 , B·A·奥夫丹姆布林克
IPC: C07C209/16
CPC classification number: Y02P20/584
Abstract: 本发明涉及在催化剂存在下对含甲胺物料进行重整，其中高转化率下达到低TMA选择性的关键在于利用一种微孔性沸石催化剂，优选合成菱沸石催化剂，此催化剂的几何选择性指数(GSI)小于约3，形状选择性指数(SSI)高于约5，对1-PrOH的吸附能力至少为0.5mmol/g，而合成菱混石中的阳离子主要是选自H、Li、Na、K、Rb和Cs的碱金属离子。
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公开(公告)号：CN1040531C
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN94108130.3
申请日：1994-07-01
Applicant: 气体产品与化学公司
Inventor： F·C·威廉 , T·R·加夫尼 , G·E·帕里斯 , B·A·奥夫丹姆布林克
IPC: C07C209/16 , C07C211/04 , B01J29/04
CPC classification number: Y02P20/584
Abstract: 本发明涉及由甲醇和/或二甲醚与氨进行催化反应和含甲胺物料的催化重整制备非平衡分布甲胺类的工艺。该工艺之一是在甲醇或二甲醚的高转化率下，选择性地生成富含单甲胺、二甲胺，而含少量三甲胺的反应产物。另一工艺是在催化剂存在下对含甲胺物料进行重整。高转化率下达到低TMA选择性的关键在于利用一种微孔性沸石催化剂，优选菱沸石催化剂，此催化剂的几何选择性指数(GSI)小于约3，形状选择性指数(SSI)高于约5，而对1-PrOH的吸附能力至少为0.5mmol/g。
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