公开(公告)号：CN1670114A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055710.5

申请日：2005-03-18

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉泽千绘 ,  植松锐 ,  增山尚司 ,  谷毅彦

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02013

Abstract: 本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为0.005μm～0.1μm的一次粒子的球形度为0.5～0.75的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径为1μm～30μm的研磨用磨料的研磨液。

公开(公告)号：CN1613941A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410079102.3

申请日：2004-09-06

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 山田修平

IPC: C09G1/06

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明的抛光组合物含有：以化学式HO－(EO)a－(PO)b－(EO)c－H所表示的嵌段型聚醚、二氧化硅、碱性化合物、羟乙基纤维素及聚乙烯醇中之至少任何一种和水。在上述化学式中，EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基，a及c分别表示环氧乙烷的聚合度，b表示环氧丙烷的聚合度，a、b及c分别为1以上的整数。

公开(公告)号：CN1500290A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN00804131.8

申请日：2000-12-19

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 石川彰 ,  潮嘉次郎

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  G01B11/00

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  G01B11/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67253

Abstract: 在晶片4的抛光以前，把具有与晶片4一样的形状和尺寸的反射物体替换晶片4固定在抛光头2上。在抛光底盘13中的窗口15和反射物体之间放入抛光剂5，并且用与晶片4的抛光期间施加的压力一样的压力把反射物体压向抛光底盘13。在这样的状况下，用从光源31发射的探测光经由窗口15照射反射物体，并且从传感器43获得反射光的光谱强度作为参考光谱。在晶片4的抛光期间，从传感器43陆续获得从晶片4反射的光的光谱强度作为一些测量光谱。测定这些测量光谱对上述的参考光谱的强度比率，并根据这样的强度比率监视晶片4的抛光状态。

公开(公告)号：CN1471725A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN01817897.9

申请日：2001-11-07

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 松川英二

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/12

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 在晶片2的研磨中，使光源21发出的测定光照射到晶片2上，用线性传感器31检测其反射光的分光强度。信号处理部11按照传感器31来的检测信号，监视晶片2的研磨状况，检测晶片2的研磨终点。快门机构控制部14响应信号处理部11来的研磨终点检测信号，控制快门机构13的电机13b，使遮光部件13a进出测定光的光路，对晶片2遮断测定光。因此，能够降低研磨状况监视用的测定光给研磨对象物造成的影响。

公开(公告)号：CN1238365A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99107174.3

申请日：1999-06-04

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穰 ,  河瀬昭博

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24B7/24

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 公开了一种用于晶片的边抛光组合物，它包含水和平均粒度为70—2,500纳米的二氧化硅。

公开(公告)号：CN106992144B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610210325.1

申请日：2016-04-06

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 赖敬华 ,  施健鸿 ,  邱定中

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76883 ,  H01L24/11 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制作方法，包含：提供一晶圆，具有一正面与一背面；于所述正面形成多数个穿板通孔；于所述多数个穿板通孔上形成一重分布层；将所述晶圆与一载板接合；于所述背面进行一晶背抛光工艺，薄化所述晶圆；进行一退火工艺，使所述穿板通孔再结晶；以及进行一化学机械抛光工艺，抛光所述晶圆的所述背面。

公开(公告)号：CN106233426B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580020540.9

申请日：2015-03-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 目黑贤二 ,  若林大士 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  B32B2250/02 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于均以单晶硅构成的贴合晶圆及基底晶圆借由绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：堆积多晶硅层于该基底晶圆的贴合面侧，研磨该多晶硅层的表面，于该贴合晶圆的贴合面形成该绝缘膜，透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的研磨面与该贴合晶圆贴合，以及将经贴合的该贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中，该基底晶圆使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，该堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积该多晶硅层的表面预先形成氧化膜，该多晶硅层的堆积以900℃以上的温度进行。借此能够堆积多晶硅层而使其即使经过SOI晶圆制造步骤的热处理步骤或装置制造步骤的热处理步骤也不会进行单晶化。

公开(公告)号：CN106663621B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201580039703.8

申请日：2015-07-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤三千登

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  B24B37/00 ,  B24B37/24 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  B24B37/24 ,  B24B57/02 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024

Abstract: 一种精抛光方法，包括使用抛光剂与抛光布而进行精抛光，抛光剂含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素，硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm，羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，在将存在于抛光剂中的粒子的累积体积比例在95％的粒径予以设为D1，并且将硅酸胶分散在水中而使得与抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶的累积体积比例在95％的粒径予以设为D2之时，D1/D2在1.5以上且2.5以下，以及抛光布的使用，为将抛光布风干后进行干燥，且该滴下后经过100秒后的接触角在60°以上。因此，提供了一种硅晶圆的精抛光方法，由此得到的硅晶圆具有整体上优秀的雾度等级，在外围部分有很小的雾度不均和很少的微小缺陷。

公开(公告)号：CN109326534A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711000103.8

申请日：2017-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈科维 ,  陈志宏

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B53/017 ,  H01L21/67248 ,  B24B37/04 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种半导体制程方法，包括在一研磨垫上研磨一晶圆，使用一垫修整器的一碟盘对研磨垫进行修整，以及将一热交换介质导入碟盘。被导入碟盘的热交换介质的温度不同于研磨垫的温度。

公开(公告)号：CN108994722A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810499504.0

申请日：2018-05-22

Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 ,  罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

Inventor： J·G·韦斯 ,  邱南荣 ,  G·C·雅各布 ,  钱百年

IPC: B24B37/24 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24B37/042 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明提供一种用于抛光三维半导体或存储器衬底的化学机械(CMP)抛光垫，所述抛光垫包含热固性反应混合物的聚氨酯反应产物的抛光层，所述热固性反应混合物具有固化剂4，4′-亚甲基双(3-氯-2，6-二乙基苯胺)(MCDEA)或MCDEA与4，4′-亚甲基-双-邻-(2-氯苯胺)(MbOCA)的混合物，和聚异氰酸酯预聚物，所述预聚物由以下形成且具有8.6至11wt.％的未反应异氰酸酯(NCO)浓度：一种或两种芳香族二异氰酸酯，如甲苯二异氰酸酯(TDI)，或芳香族二异氰酸酯与脂环族二异氰酸酯的混合物，和聚四亚甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)的多元醇，或PTMEG与PPG的多元醇掺合物。所述抛光层中的所述聚氨酯根据ASTM D2240-15(2015)具有50至90的肖氏D硬度、在65℃具有70至500MPa的剪切存储模量(G′)，且在50℃具有0.06至0.13的阻尼分量(G″/G′，通过剪切动态力学分析(DMA)所测量，ASTM D5279-08(2008))。