公开(公告)号：CN101504930A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910004867.3

申请日：2009-01-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井坂史人 ,  加藤翔 ,  根井孝征 ,  小松立 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。

公开(公告)号：CN101425456A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810174746.9

申请日：2008-10-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI衬底的制造方法，该SOI衬底具有即使在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于制造一种使用这种SOI衬底的可靠性高的半导体装置。使用具有单晶半导体层的SOI衬底，所述单晶半导体层是从单晶半导体衬底转载到支撑衬底上并其整个区域经过利用激光照射的熔融状态而再单晶化了的层。由此，单晶半导体层的结晶缺陷减少而结晶性提高，并且平坦性也提高。

公开(公告)号：CN100479275C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200410035100.4

申请日：2004-04-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安部宽子 ,  下村明久 ,  濑尾哲史 ,  山崎舜平

IPC: H01S3/16 ,  H01S3/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01S5/041 ,  H01S3/14 ,  H01S3/1628

Abstract: 提供振荡波长在可见光范围内的激光振荡器并且增强光子输出的转换效率，进一步抑制能量消耗。该激光振荡器包含在基底上形成的发光元件和光谐振器。发光元件包括发光层、阳极和阴极，其中发光层夹在阳极和阴极之间。发光层包含主体材料和磷光材料，磷光材料以不小于10wt%的浓度分散在主体材料中。阳极和阴极包含透光性能。在来自磷光材料的受激准分子状态的发光中，与发光层相交的单向光被光谐振器放大。

公开(公告)号：CN100449712C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN03158812.3

申请日：2003-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  高野圭惠 ,  古山将树 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明的目的是提供使激光能量更稳定的激光装置、激光照射方法和半导体器件的制作方法。为此，对振荡器发射的激光束的一部分进行采样，以生成包含激光束的能量波动作为数据的电信号。对该电信号进行信号处理，以计算激光束能量波动的频率、幅度、和相位。光量调节装置的透射比被控制，使得透射比变化的相位与激光束能量波动的相位相反，且幅度能够减小振荡器发射的激光束的幅度，该控制根据与从振荡器发射的激光束的振荡同步的信号的相位与计算得到的相位之间的相位差、根据采样的激光束与从振荡器发射的激光束的能量比率、以及根据计算得到的频率和幅度进行。在光量调节装置中，从振荡器振荡的激光束的能量被调节。

公开(公告)号：CN100446181C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610006425.9

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN100409409C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1825553A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005816.9

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。

公开(公告)号：CN1581439A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055682.2

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小路博信 ,  下村明久 ,  古山将树

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提供一种使用用于促使结晶的金属元素来控制晶向的结晶方法，其中对具有对准的晶向的结晶半导体膜辐照脉冲激光一次以形成具有小晶粒的结晶半导体膜，在相邻晶粒中对准晶向的有序间隔以栅格图形形成小晶粒。本发明的又一目的是提供一种用于制造结晶半导体膜的方法。鉴于上述目的，本发明提供一种具有以栅格图形形成晶粒的结晶半导体膜，其中相邻的晶粒中晶向对准，并还提供具有该结晶半导体膜的薄膜晶体管。特别地在本发明中，为形成具有相邻晶粒中对准晶向的晶粒，将用于促使结晶的金属元素选择性地添加，以形成结晶半导体膜并且此后优选地辐照脉冲激光。

公开(公告)号：CN1426088A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02156040.4

申请日：2002-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/42384 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 激光照射之前形成岛状半导体膜和标记。标记用作定位参考使得不会在衬底表面中整个半导体上实施激光照射，而是在至少是绝对必要的部分上实施最小化的晶化。由于激光晶化所需要的时间可以减少，有可能提高衬底处理的速度。通过向传统SLS方法中应用上述组成，提供了解决传统SLS方法中衬底处理效率不够这样的问题的方法。