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公开(公告)号：CN102723354A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110078690.9
申请日：2011-03-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例公开了一种高压功率LDMOS器件及其制造方法。所述高压功率LDMOS器件，包括：基底；位于基底内的埋层区及漂移区，所述埋层区包括主埋层区和副埋层区，所述副埋层区位于漂移区靠近源端底部且与所述漂移区相连通。本发明所提供的高压功率LDMOS器件，由于在漂移区靠近源端底部存在与漂移区相连通的副埋层区，而副埋层区与漂移区的掺杂类型相反，故所述副埋层区的存在可有助于实现Qn与Qp电荷的平衡，从而有利于提高器件击穿电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN102723353A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110078650.4
申请日：2011-03-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例公开了一种高压功率LDMOS器件及其制造方法。所述高压功率LDMOS器件包括：基底；位于基底内的渐变漂移区，所述渐变漂移区包括掺杂类型相同的漏端阱区和源端阱区，所述漏端阱区和源端阱区相连通，且所述漏端阱区的深度大于源端阱区的深度；位于所述渐变漂移区上的场氧化层。本发明所提供的高压功率LDMOS器件及其制造方法，具有工艺简单、成本较低的优点；且工艺过程容易控制，可使器件的击穿电压和导通电阻等关键参数保持较好的稳定性。
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公开(公告)号：CN119730390A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311238491.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D89/60
Abstract: 本发明涉及一种ESD保护器件及其制造方法，所述ESD保护器件包括：N阱；P阱；第一P型区，位于所述N阱中；第二P型区，位于所述N阱中；第三P型区，位于所述P阱中；第一N型区，位于所述P阱中；其中，所述第二P型区短路连接所述第三P型区；所述第一P型区和N阱用于连接阳极，所述第一N型区和P阱用于连接阴极。本发明在N阱中设置第二P型区，在P阱中设置第三P型区，并将第二P型区与第三P型区短接，相当于并联了一个PNP三极管。这样在ESD脉冲来临时，该PNP三极管能够作为新增的电流释放通路，从而提高静电防护器件的维持电压，改善闩锁效应。
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公开(公告)号：CN118738081A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310316163.X
申请日：2023-03-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底，具有第二导电类型；结隔离结构，包括第一埋藏区和与所述第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，所述第一埋藏区位于所述衬底上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区位于所述第一埋藏区上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区的掺杂浓度小于所述第一埋藏区的掺杂浓度；第二导电类型区，位于所述第二埋藏区上；器件主体区，位于所述第二导电类型区中；其中，所述结隔离结构用于实现所述衬底与所述第二导电类型区之间的绝缘隔离。本发明在第一埋藏区和第二埋藏区的界面形成空穴阻挡层，能够阻止空穴穿过空穴阻挡层渡越到衬底形成衬底漏电，改善器件的闩锁效应。
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公开(公告)号：CN118553766A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310179804.1
申请日：2023-02-24
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种场板结构及半导体器件，所述场板结构包括位于衬底上的绝缘介质层，还包括多圈环形结构，所述环形结构的宽度由内环到外环递增，以通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，所述环形结构包括连续或非连续的螺旋环，或所述环形结构包括一圈套一圈的多个闭合或非闭合环。本发明的环形结构电阻的宽度由内环到外环递增，通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，使电阻结构的每个半圈的电阻值趋于相等，从而使得器件的表面电场分布均匀，电势能够保持固定的斜率下降，使得器件具有较高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118039611A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211360637.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明涉及一种电容器结构及半导体器件，所述电容器结构包括：下极板；主介质层，覆盖所述下极板；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上极板，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上极板之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号：CN117690948A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211076628.0
申请日：2022-09-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L21/331 , H01L29/735 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；阳极区，具有第一导电类型；隔离结构，包括设于所述集电区和所述阳极区之间的第一结构，以及与所述第一结构呈一夹角并从所述第一结构向所述集电区的下方延伸的第二结构。本发明通过设置隔离结构，增大了漂移区到阳极区的电阻，使得电导调制效应导致的漂移区电阻降低的现象对于电压折回的影响大为减小。且隔离结构将集电区与阳极区隔开，使得集电区发射空穴时被阳极区所复合的几率降低，降低了器件的静态功耗。
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公开(公告)号：CN116417341A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111675159.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件。其中，LDMOS器件的制备方法包括步骤：形成第一导电类型的漂移区；于所述第一导电类型的漂移区内形成第二导电类型的埋层；于所述第一导电类型的漂移区内形成第一导电类型的通道区，所述第一导电类型的通道区位于所述第二导电类型的埋层上方，与所述第二导电类型的埋层邻接，所述第一导电类型的通道区的面积大于所述第二导电类型的埋层的面积。通过在第一导电类型的漂移区中形成第一导电类型的通道区和第二导电类型的埋层，并使得第一导电类型的通道区的面积大于第二导电类型的埋层的面积，实现了器件在提升击穿电压的同时能够进一步降低导通电阻的效果。
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公开(公告)号：CN116130405A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111343330.7
申请日：2021-11-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：获取晶圆；所述晶圆包括衬底和衬底上的绝缘层；对所述绝缘层进行图案化处理，形成相互连通并将所述衬底露出的沟槽阵列，所述沟槽阵列将所述绝缘层分割为多个块状结构；在所述衬底和绝缘层上形成外延层，所述外延层覆盖所述衬底和所述半导体层。本发明通过沟槽阵列将绝缘层分割为多个块状结构，可以减小绝缘层对衬底的应力。并且外延层与衬底连接在一起，可以进一步减小晶圆的应力，还可以将衬底电位从晶圆上表面引出。
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公开(公告)号：CN113130646B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201911395825.7
申请日：2019-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括:半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一漂移区；所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的一部分覆盖所述第一漂移区的一部分；所述第一漂移区内形成有第一凹槽，所述第一凹槽底部的半导体衬底中形成有漏区。根据本发明提供的半导体器件及其制作方法，通过在漂移区内形成凹槽，并在凹槽底部的半导体衬底中形成漏区，纵向延长了漂移区的长度，提高了半导体器件的承受电压，同时减小了半导体器件的面积。
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