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公开(公告)号：CN118448260A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410410880.3
申请日：2024-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种利用钽插入层调节Ni/Ge反应及NiGe/n‑Ge肖特基接触的方法，本发明采用金属Ta层作为插入层，在快速退火阶段Ta层的存在使Ni原子扩散变缓，使得与Ge衬底的反应更加的平衡，从而避免发生团聚现象，获得了一种均匀性良好，界面性能得到改善的金属/半导体材料，且Ta插入层的存在缓解了费米能级钉扎，降低了肖特基势垒高度，同时解决了两大技术难题。
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公开(公告)号：CN113078054B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110320608.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L29/43
Abstract: 本发明提供一种电极层的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一电极层及支撑层；将由电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，电极层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使电极层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作电极层，利用石墨烯与电极层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意电极层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了电极层的可应用范围，减少了电极层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低电极层的制作成本。
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公开(公告)号：CN117393588A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311324353.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/30 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B33/00 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆及其形成方法，单晶硅晶圆包括上表面以及距离上表面预定距离内的第一区域，所述第一区域内无自间隙型缺陷。采用无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆制作的半导体器件，降低了器件漏电流以及提高击穿电压，提高了半导体器件的性能。进一步的，单晶硅晶圆的形成方法通过热处理工艺消除单晶硅晶圆汇总的自间隙型缺陷，热处理工艺包括快速热处理工艺和/或长时间热处理工艺。也即通过热处理工艺能够获得一种无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆，提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN116145238A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211734788.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF‑SOI基材，应用于晶体生长技术领域，其中晶体生长方法包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。通过调整线圈电流比为1:n来获得非对称水平磁场，进而可以通过采用非对称水平磁场来抑制熔体流动，进而基于非对称水平磁场对熔体不同抑制作用可获得非对称对流结构，能够显著降低直拉法单晶硅晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN116053208A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310072253.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L29/16 , H01L29/772
Abstract: 本发明涉及一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法，包括：石墨烯生长、旋涂两种光刻胶、沉积铝和金、Lift‑off、自然氧化、沉积金形成自对准结构、旋涂转移胶、贴附过渡衬底、机械剥离(伴随铝的自氧化)、贴附目标衬底、范德华键合、解离清洗。本发明先在衬底上完成器件结构的预制备，然后整体剥离并转移至目标衬底上。全程对目标衬底未造成任何污染和损伤，大幅提高器件的电学性能。而且该方法与半导体工艺兼容，适于规模化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114664657A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111269451.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种晶圆表面处理方法。本发明通过控制处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火和降温氧化减薄过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，有效减少了最终处理工艺成本，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114592238A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011401119.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种带移动保温的单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、侧加热器、底加热器、导流筒、水冷套、坩埚支撑装置、侧保温层、底保温层及保温层移动装置；侧加热器位于坩埚的周向外侧，底加热器位于坩埚的底部，导流筒自坩埚的外侧延伸到硅料的上方；水冷套延伸到炉体内部；坩埚支撑装置与坩埚的底部相连接；侧保温层位于侧加热器及炉体的内壁之间，底保温层位于底加热器的下部；保温层移动装置与底保温层和/或侧保温层相连接，在单晶生长的不同阶段，通过改变所述底保温层与所述侧保温层之间的相对位置改变热场下部温度。本发明有助于控制晶棒内氧杂质含量以提高晶棒生长质量，且有助于缩减热场冷却时间以增加单晶生产产能。
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公开(公告)号：CN114156179A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111269452.6
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法。本发明通过控制快速热处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114023667A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111247647.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , G01N21/88 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的一级外延缺陷；对所述外延层的表面进行刻蚀，以将所述一级外延缺陷放大形成二级外延缺陷；通过显微镜表征所述二级外延缺陷。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行刻蚀以放大外延缺陷，从而实现对原生缺陷的定位、确定原生缺陷的类型和缺陷范围。
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公开(公告)号：CN113721076A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110910092.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种硅片电阻率的测量方法，所述测量方法包括：选取待测量的硅片；对所述硅片进行热处理，去除所述硅片中的热施主；对所述硅片进行氧化处理，以在所述硅片上形成氧化表面；测量所述硅片的电阻率。在所述方法中首先对硅片进行氧化处理，以在所述硅片上得到氧化表面，从而在后续的放置过程中其表面变化很小，因此硅片表面测量的电阻率变化很小。
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