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公开(公告)号：CN118448260A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410410880.3
申请日：2024-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种利用钽插入层调节Ni/Ge反应及NiGe/n‑Ge肖特基接触的方法，本发明采用金属Ta层作为插入层，在快速退火阶段Ta层的存在使Ni原子扩散变缓，使得与Ge衬底的反应更加的平衡，从而避免发生团聚现象，获得了一种均匀性良好，界面性能得到改善的金属/半导体材料，且Ta插入层的存在缓解了费米能级钉扎，降低了肖特基势垒高度，同时解决了两大技术难题。
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