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公开(公告)号：CN113078054B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110320608.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L29/43
Abstract: 本发明提供一种电极层的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一电极层及支撑层；将由电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，电极层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使电极层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作电极层，利用石墨烯与电极层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意电极层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了电极层的可应用范围，减少了电极层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低电极层的制作成本。
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公开(公告)号：CN117276310A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310450638.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种大面积二维材料及其制备方法，制备方法包括：提供一单晶基底；于单晶基底上形成单晶热导层，单晶热导层的热导率至少大于蓝宝石基底的热导率；于单晶热导层上形成二维材料层。本发明以高热导率的AlN等材料作为二维材料晶体管衬底材料，可以将二维材料晶体管工作产生的焦耳热高效的传导出去，减弱器件工作时的升温，有利于维持二维材料沟道的高迁移率，获得较高的开态电流，降低门延迟，提升二维集成电路的工作速度。
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公开(公告)号：CN116230716A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310450633.1
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种二维晶体管阵列及其制备方法，方法包括：提供一导热基底；于导热基底上形成导热生长层以及位于单晶导热层上的包括多个二维材料单元的阵列；于各二维材料单元上形成源电极层、漏电极层、栅介质层及栅电极层，源电极层和漏电极层在水平方向上相隔设置，栅介质层和栅电极层设置于源电极层与漏电极层之间。本发明以高热导率的基底和高导热率的AlN等材料作为二维材料晶体管的衬底材料，可以将二维材料晶体管工作产生的焦耳热高效的传导出去，减弱器件工作时的升温，有利于维持二维材料沟道的高迁移率，获得较高的开态电流，降低门延迟，提升二维集成电路的工作速度。同时，本发明可以有效降低二维晶体管的制作成本。
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公开(公告)号：CN113078054A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110320608.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L29/43
Abstract: 本发明提供一种电极层的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一电极层及支撑层；将由电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，电极层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使电极层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作电极层，利用石墨烯与电极层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意电极层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了电极层的可应用范围，减少了电极层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低电极层的制作成本。
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公开(公告)号：CN113078052A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110321724.6
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种晶体管结构及其制备方法，该方法包括：提供一基底；形成石墨烯层于基底的上表面；形成源漏电极层及栅极结构于石墨烯层的上表面；形成支撑层；将由源漏电极层、栅极结构及支撑层组成的复合结构从石墨烯层表面机械剥离；将复合结构转移至目标衬底；去除支撑层，并使源漏电极层及栅极结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上沉积电极层及栅介质层，利用石墨烯与电极层、栅介质层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现晶体管结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了晶体管结构的可应用范围，减少了晶体管结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低制作成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113078053A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110331144.5
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种顶栅结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、栅介质层、至少一栅电极层及支撑层；将由栅介质层、栅电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，栅介质层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使由栅介质层及栅电极层组成的顶栅结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作顶栅结构，利用石墨烯与栅介质材料间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意顶栅结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了顶栅结构的可应用范围，减少了顶栅结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低顶栅结构的制作成本。
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公开(公告)号：CN113078044A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110320623.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种介电材料的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一介电材料层及支撑层；将由介电材料层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，介电材料与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使介电材料层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作介电材料层，利用石墨烯与介电材料层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意介电材料层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了介电材料层的可应用范围，减少了介电材料层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低介电材料层的制作成本。
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公开(公告)号：CN109473507A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811245526.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯的器件及其制备方法，具有石墨烯的器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯；3)于石墨烯远离基底的表面生长量子点。本发明的具有石墨烯的器件的制备方法通过分子束外延工艺生长量子点，通过调节分子束外延工艺的生长条件，可以有效的控制在石墨烯表面外延生长的量子点的形貌特征；生长过程稳定可控，重复性强，适合作为石墨烯表面功能化量子点的普适方法。
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公开(公告)号：CN113078052B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110321724.6
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种晶体管结构及其制备方法，该方法包括：提供一基底；形成石墨烯层于基底的上表面；形成源漏电极层及栅极结构于石墨烯层的上表面；形成支撑层；将由源漏电极层、栅极结构及支撑层组成的复合结构从石墨烯层表面机械剥离；将复合结构转移至目标衬底；去除支撑层，并使源漏电极层及栅极结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上沉积电极层及栅介质层，利用石墨烯与电极层、栅介质层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现晶体管结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了晶体管结构的可应用范围，减少了晶体管结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低制作成本。
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公开(公告)号：CN113078053B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110331144.5
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种顶栅结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、栅介质层、至少一栅电极层及支撑层；将由栅介质层、栅电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，栅介质层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使由栅介质层及栅电极层组成的顶栅结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作顶栅结构，利用石墨烯与栅介质材料间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意顶栅结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了顶栅结构的可应用范围，减少了顶栅结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低顶栅结构的制作成本。
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