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公开(公告)号：CN109055896B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201810804283.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，所述制备方法包括：步骤1)提供一绝缘衬底；步骤2)于所述绝缘衬底的上表面由下至上依次形成锗层和石墨烯层；以及步骤3)对步骤2)所得结构中的所述锗层进行氧化挥发处理，以去除所述锗层，实现于所述绝缘衬底上直接形成石墨烯层。通过本发明提供的一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，解决了现有采用转移法和催化生长法制备绝缘衬底上石墨烯时存在的诸多问题。
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公开(公告)号：CN109055895B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810803257.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法，所述制备方法包括：提供一GOI结构，所述GOI结构包括绝缘衬底，和形成于所述绝缘衬底上的锗层；对所述GOI结构进行退火处理，以于所述绝缘衬底上形成锗量子点阵列；于所述锗量子点阵列上形成石墨烯量子点阵列，其中，所述石墨烯量子点阵列中各石墨烯量子点与所述锗量子点阵列中各锗量子点一一对应，且所述石墨烯量子点包裹所述锗量子点；以及对上一步骤所得结构中的所述锗量子点阵列进行氧化挥发处理，以去除所述锗量子点阵列，实现在所述绝缘衬底上直接制备所述石墨烯量子点阵列。通过本发明解决了现有无法制备出排列有序的石墨烯量子点阵列的问题。
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公开(公告)号：CN109055895A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810803257.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法，所述制备方法包括：提供一GOI结构，所述GOI结构包括绝缘衬底，和形成于所述绝缘衬底上的锗层；对所述GOI结构进行退火处理，以于所述绝缘衬底上形成锗量子点阵列；于所述锗量子点阵列上形成石墨烯量子点阵列，其中，所述石墨烯量子点阵列中各石墨烯量子点与所述锗量子点阵列中各锗量子点一一对应，且所述石墨烯量子点包裹所述锗量子点；以及对上一步骤所得结构中的所述锗量子点阵列进行氧化挥发处理，以去除所述锗量子点阵列，实现在所述绝缘衬底上直接制备所述石墨烯量子点阵列。通过本发明解决了现有无法制备出排列有序的石墨烯量子点阵列的问题。
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公开(公告)号：CN109473507A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811245526.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯的器件及其制备方法，具有石墨烯的器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯；3)于石墨烯远离基底的表面生长量子点。本发明的具有石墨烯的器件的制备方法通过分子束外延工艺生长量子点，通过调节分子束外延工艺的生长条件，可以有效的控制在石墨烯表面外延生长的量子点的形貌特征；生长过程稳定可控，重复性强，适合作为石墨烯表面功能化量子点的普适方法。
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公开(公告)号：CN109055896A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810804283.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/26 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C14/48 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , C23C28/322 , C23C28/34
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，所述制备方法包括：步骤1)提供一绝缘衬底；步骤2)于所述绝缘衬底的上表面由下至上依次形成锗层和石墨烯层；以及步骤3)对步骤2)所得结构中的所述锗层进行氧化挥发处理，以去除所述锗层，实现于所述绝缘衬底上直接形成石墨烯层。通过本发明提供的一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，解决了现有采用转移法和催化生长法制备绝缘衬底上石墨烯时存在的诸多问题。
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