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公开(公告)号:CN108964633A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810445596.4
申请日:2018-05-10
申请人: 株式会社村田制作所
CPC分类号: H04B1/40 , H01Q1/50 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H04B1/50 , H03H9/70 , H03H9/02007 , H03H9/02535
摘要: 本发明提供一种提高了发送路径与接收路径之间的隔离度的多工器(1A),其具备:公共端子(101)、接收端子(120)以及发送端子(110、130);接收滤波器(20),配置在公共端子与接收端子(120)之间;发送滤波器(10),配置在公共端子与发送端子(110)之间;发送滤波器(30),配置在公共端子与发送端子(130)之间;电感器(21),串联连接在公共端子与接收滤波器(20)之间;电感器(12),连接在发送端子(110)与发送滤波器(10)之间;以及电感器(32),连接在发送端子(130)与发送滤波器(30)之间,电感器(21)与电感器(12)进行磁场耦合,并且与电感器(32)进行磁场耦合。
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公开(公告)号:CN106341094A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610751285.1
申请日:2016-08-29
申请人: 中国科学院半导体研究所
CPC分类号: H03H3/02 , H03H9/02007 , H03H9/02015 , H03H2003/023
摘要: 本发明提供了一种体声波器件的制备方法。采用垂直结构发光二极管工艺中常见的激光剥离、电镀铜和倒装焊工艺,有效解决了单晶体声波器件制备过程中难以在底部金属电极上制备高质量单晶氮化物材料这一技术难题,为高性能体声波器件的制备奠定了基础。
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公开(公告)号:CN103916100B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201310062693.2
申请日:2013-02-28
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H03H9/15
CPC分类号: H03H9/178 , B81B7/02 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H9/02007 , H03H9/02244 , H03H9/0595 , H03H9/17 , H03H9/205 , H03H2003/021 , H03H2003/027 , H03H2009/02496
摘要: 本发明公开一种微机电共振装置,上述微机电共振装置包括单一或多个共振单元,其中上述的每一个些共振单元包括一基材,其中具有一沟槽;一对第一电极,设置于上述沟槽的一对侧壁上;一压电材料,填充于上述沟槽,且覆盖上述第一电极;一第二电极,嵌入上述压电材料且通过上述压电材料与上述对第一电极隔开,其中位于上述沟槽中的上述第二电极与上述对第一电极平行。
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公开(公告)号:CN105027435A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201480012698.7
申请日:2014-02-20
申请人: 埃普科斯股份有限公司
CPC分类号: H03H9/25 , H01L41/331 , H01L41/332 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02007 , H03H9/02086 , H03H9/02118 , H03H9/02818 , H03H9/02858 , H03H9/02984 , H03H9/0542 , H03H9/105 , H03H9/1092 , H03H9/14544
摘要: 说明一种具有覆盖物(CAP)以及具有改进的声学特性的微声学器件(MAC),该覆盖物允许密封的封闭,该改进的声学特性例如通过放置覆盖物。该器件包括声学功能区域(FAS)、内部边缘区域(IRS)和外部边缘区域(ORS)。覆盖物(CAP)覆盖声学功能区域(CAP)并且具有薄层和支撑面(RS)。内部边缘区域(IRS)与声学功能区域(FAS)声学耦合并且支撑面(RS)至少直接平放在内部边缘区域(IRS)的一部分上。
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公开(公告)号:CN108631748A
公开(公告)日:2018-10-09
申请号:CN201711315132.3
申请日:2017-12-12
申请人: 三星电机株式会社
CPC分类号: H03H9/02007 , H01L41/053 , H01L41/29 , H01L41/31 , H03H3/02 , H03H9/13 , H03H9/17 , H03H9/54 , H03H2003/023
摘要: 本公开提供一种声波谐振器及包括该声波谐振器的滤波器。所述声波谐振器包括:谐振部,设置在基板上并且通过腔与所述基板分开,所述谐振部包括顺序地堆叠的膜层、第一电极、压电层和第二电极。满足 ΔCg为所述腔的最大间距和最小间距之差。
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公开(公告)号:CN107800402A
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201710733413.4
申请日:2017-08-24
申请人: 三星电机株式会社
CPC分类号: H03H9/54 , H03H3/02 , H03H9/02007 , H03H9/1014 , H03H9/133 , H03H9/173 , H03H2003/021
摘要: 本发明提供一种体声波滤波器装置及制造体声波滤波器装置的方法,所述体声波滤波器装置包括:基板,包括由第一凹槽和与所述第一凹槽相邻的第二凹槽形成的通孔;膜层,与所述基板形成腔;滤波器,包括设置在所述膜层上的下电极、被设置为覆盖所述下电极的部分的压电层以及形成为覆盖所述压电层的部分的上电极;以及电极连接构件,设置在所述基板中,并且连接到所述下电极和所述上电极中的任一个,其中,所述电极连接构件包括设置在所述第一凹槽中的插入电极以及连接到所述插入电极并设置在所述第二凹槽的内周表面和所述基板的表面上的过孔电极。
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公开(公告)号:CN105897215A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610336540.6
申请日:2016-05-20
申请人: 爱普科斯科技(无锡)有限公司
CPC分类号: H03H9/02007 , H03H9/02086 , H03H9/1007
摘要: 本发明提供了一种体声波滤波器芯片的封装结构,其封装气密性高,不易吸入潮气,封装可靠性好,能够满足严苛的室外环境的使用要求,从而提升产品的综合性价比,包括体声波滤波器芯片和封装在所述体声波滤波器芯片外部的陶瓷外壳,所述陶瓷外壳的上端设有开口,使得所述体声波滤波器芯片的正面部分露出,盖板设置在所述陶瓷外壳的上端将所述开口密封,所述陶瓷外壳内设有上部焊盘,所述上部焊盘通过金线连接所述体声波滤波器芯片的芯片表面焊盘,所述陶瓷外壳的下表面设置底部焊盘,所述上部焊盘与所述底部焊盘之间通过设置在所述陶瓷外壳外部的镀金层相连接,所述陶瓷外壳内还设置有接地通孔。
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公开(公告)号:CN1801614B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200510079662.3
申请日:2005-06-24
CPC分类号: H03H9/173 , H03H9/02007 , H03H9/02118 , H03H9/132
摘要: 本发明揭示了一种由中间夹有一压电材料的电极制成的谐振器结构(FBAR)。所述两个导电电极的相交界定了所述声波谐振器的有效面积。将所述有效面积划分为两个同心区域:一周边或框及一中心区域。将一环添加到两个导电电极中的一个以提高电性能(就Q而言)。
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公开(公告)号:CN101123423A
公开(公告)日:2008-02-13
申请号:CN200710140333.4
申请日:2007-08-09
申请人: 爱普生拓优科梦株式会社
CPC分类号: H03H9/177 , H03H3/04 , H03H9/02007 , H03H9/02102 , H03H9/0595 , H03H9/19 , Y10T29/42
摘要: 本发明提供一种AT切割水晶振动片及其制造方法。本发明制造抑制了宽度切变模式的影响并改善了能量捕获效果的AT切割水晶振动片。AT切割水晶振动片具有由AT切割水晶板构成的水晶元件片及在其表面和背面主面设置的一对激励电极,AT切割水晶板构成为在水晶结晶的X轴方向具有长边的矩形,且其长边方向的侧面由作为水晶自然面的m面的第一结晶面和作为m面以外的自然面的第三结晶面两个面形成。水晶元件片的外形加工通过以下方式进行:在AT切割水晶板的表面和背面各面上以在水晶结晶的Z′轴方向彼此错位的方式形成与其外形对应的掩模,并从表面和背面两面进行湿法刻蚀。水晶元件片可形成为由作为激励部的较厚中央部和较薄周边部构成的台形状。
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公开(公告)号:CN108123695A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201711211798.4
申请日:2017-11-28
申请人: 三星电机株式会社
CPC分类号: H03H9/02007 , H01L41/047 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/02157 , H03H9/17 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/54
摘要: 本发明提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:膜层,与基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上;压电层,设置在所述下电极的平坦表面上;以及上电极,覆盖所述压电层的一部分。所述压电层的侧部的整个区域暴露于空气。所述压电层的所述侧部相对于所述下电极的顶表面具有65°到90°的倾斜度。
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