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公开(公告)号：CN103065950A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210573249.2
申请日：2012-12-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/268
Abstract: 一种提高GCT芯片安全工作区的横向非均匀电子辐照方法，其步骤为：（1）GCT芯片的预辐射；通过控制芯片的少子寿命及压降的方法，对GCT芯片实行一次预辐照；（2）一次退火后，进行少子寿命和芯片压降监测；（3）采用复合合金挡板，利用电子辐照穿透复合合金挡板的非均匀性对GCT芯片进行二次辐照并退火；（4）再次进行少子寿命和芯片压降监测。本发明具有原理简单、操作简便、通过两次辐照技术以实现GCT芯片局部少子寿命控制、通过降低远离门极梳条的少子寿命、降低在GCT关断过程中电流的再分配效应、提高GCT芯片整体安全工作区等优点。
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公开(公告)号：CN101615602B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200910160951.4
申请日：2009-07-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件及测试方法、测试模具。其中，一种半导体器件，包括依次层叠设置的管盖、铝合金阳极、管芯芯片、铝合金阴极、门极和管座，每层相邻构件之间电性连接且所述门极还与所述管芯芯片电连接。半导体器件测试方法，包括：将待测管芯芯片、门极组件和铝合金测试片组装入测试夹具，所述待测管芯芯片夹在所述铝合金测试片组的阳极和所述铝合金测试片组的阴极之间；执行动态测试。本发明实施例采用铝合金片组代替了现有技术中的镀铑钼片组，不仅降低了测试成本，而且减少了通态压降，改善了热阻性能，改良了与管芯芯片的表面结合。
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公开(公告)号：CN102214686A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110107686.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法，广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括：以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环，扇区与同心圆环相交处为图形单元，分布在扇区内并位于同一圆环内的梳条沿圆环的圆弧排布，每圈梳条的外边线为圆弧，且梳条的朝向均平行于扇区的中心线，相邻的两个扇区之间留有门极快捷通道。将按上述设计的光刻掩膜版通过光刻加工，把阴极图形转移到芯片的表面，最终完成制作。该阴极图形及其梳条图形排布方法提高了芯片的有效面积利用率，提高了各梳条开通/关断的均匀性，有利于平衡距离门极电极远近带来的梳条开通/关断差异，便于加工成型。
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公开(公告)号：CN100557768C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710035981.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 半导体芯片梳条修理方法及装置，通过一套模拟手工修理方法的梳条修理机构对有问题的梳条进行修理。所述的模拟手工修理方法是通过一套定位装置将半导体器件芯片固定在显微工作台上，再由一套模拟手工修理芯片梳条的剔梳条机构完成芯片梳条的修理。其中，所述的模拟手动修理芯片梳条的剔梳条机构是通过一微动定位机构将修理梳条的刀具刀口调至待剔梳条的根部及对准梳条的长度方向，准备剔条；再由与刀具安装在一起的拴导机构使刀口产生所需的直线运动，完成剔除梳条的动作。所述的梳条修理机构由芯片定位座、刀具、微动定位机构及拴导机构几部分构成，整个结构置于“显微工作台”内。
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公开(公告)号：CN100490105C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710035982.8
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶方法及模具，所述的灌胶处理方法是通过一套模芯与模座一体金属与塑料复合结构的模具对半导体元件芯片的台面进行灌胶处理。具体说，所述的灌胶处理是将芯片置于由金属与塑料复合结构构成的上模和下模之间，用螺栓加力使缝隙紧密贴合，从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出。其中，所述的芯片是待加工的部分，芯片需安装在上模和下模之间，并用螺栓加力使上模和下模之间的缝隙紧密贴合，再从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出；所述的上模和下模是用于形成模腔，是完成特定形状与尺寸的灌胶操作的工装模具，上模和下模是将模芯与模座和为一体，且模芯是由金属与塑料复合结构构成的。
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公开(公告)号：CN101355072A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810215654.0
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L29/74
Abstract: 一种门极换流晶闸管，包括阳极端(103)、阴极端(101)、所述阳极端(103)和阴极端(101)之间的管壳(105)以及由所述管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；所述门极引线(111)具有与印刷电路板连接的安装面(112)；其特征在于，还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与所述阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；所述阴极引线(109)具有与印刷电路板连接的安装面(110)；且在所述门极换流晶闸管安装于印刷电路板上时，所述阴极引线(109)的安装面(110)与所述门极引线(111)的安装面(112)位于印刷电路板的同侧。本发明的门极换流晶闸管易于与印刷电路板组装，且使得门控晶闸管与印刷电路板组成的器件易于维护。
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公开(公告)号：CN1937245A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610032431.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧形成插头。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的直列插入式半导体器件。
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公开(公告)号：CN1873918A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610031478.6
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/332
Abstract: 一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法，采用离子注入扩散技术，在门极可关断晶闸管(GTO)制作中芯片阴极面的杂质分布中，要求交界(标20um处)的PN结电压设计值VGK精确到20～21V，据此可计算交界处的杂质浓度的V/I值应控制在10～11，其均匀度为±5％。p型杂质采用硼、铝双杂质分布，铝决定了总的结深，硼决定了硅片表面及次表面处的浓度及均匀度。靠外面为高浓度N型磷杂质，采用离子注入扩散法将掺杂原子电离化后，用电子枪将其高速打到硅片上，先将硼离子注入扩散，然后再将铝离子注入扩散。
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公开(公告)号：CN104538321B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN103346130B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310272369.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件，所述绝缘座为单向开口的腔体，所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部，所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁，所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构，即该内侧壁的内表面和/或外侧壁的外表面具有至少一个台阶。在GCT元件封装时，与绝缘座配合的内外阴极钼片可以放置在该台阶上，这样不仅可以减小绝缘座与阴极钼片之间的间隙而且可为阴极钼片提供一定的预紧力，从而限定阴极钼片的横向偏动和纵向偏动。通过该台阶对阴极钼片的限制，避免了阴极钼片与绝缘座之间的挤压变形而引发的器件门极和阴极之间的短路，确保了GCT元件的封装合格率。
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