公开(公告)号：CN101789378B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910002857.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/20 ,  B32B2305/342 ,  B42D25/45 ,  B42D2033/46 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T156/1712 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地所述密封薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN101479747B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200780023459.1

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  青山智幸 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  荻田香 ,  楠本直人

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  D21H21/48 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: D21H21/48 ,  B32B29/00 ,  D21H27/32 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。

公开(公告)号：CN101789378A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910002857.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/20 ,  B32B2305/342 ,  B42D25/45 ,  B42D2033/46 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T156/1712 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN101471351A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810189707.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及其制造方法。在衬底的第一面上设置半导体元件。在衬底的与第一面相反的第二面上和衬底的侧面的一部分上形成树脂层。在衬底的侧面中具有水平差。具有水平差的衬底的上方部分的宽度比具有水平差的衬底的下方部分的宽度窄。因此，衬底也可以是凸字形状。

公开(公告)号：CN1866548A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610082461.3

申请日：2006-05-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 菅原裕辅 ,  西和夫 ,  荒尾达也 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  楠本直人

IPC: H01L31/08 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1055 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02325

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN1722393A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084624.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也 ,  荒井康行 ,  渡边康子 ,  樋口美由纪

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/153 ,  B32B37/226 ,  B32B2305/342 ,  B32B2519/02 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/67132 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1095 ,  Y10T156/1734 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种层压系统，其中，用于密封薄膜集成电路的第二和第三基板之一在以加热熔融态挤压出的同时提供给具有多个薄膜集成电路的第一基板，其它辊子用于供应其它基板、接收IC芯片、分离和密封。通过旋转辊子可连续地进行以下步骤：分离在第一基板上设置的薄膜集成电路；密封分离的薄膜集成电路；和接收密封的薄膜集成电路。因此，极大地提高了生产效率。

公开(公告)号：CN101233394B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200680027408.1

申请日：2006-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  菅原裕辅 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和

IPC: G01J1/44 ,  H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/102 ,  G01J1/44 ,  H01L31/145 ,  H04N5/2351

Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。

公开(公告)号：CN101313413B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200680043181.X

申请日：2006-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  西和夫 ,  菅原裕辅 ,  高桥宽畅 ,  深井修次

IPC: H01L31/10 ,  H01L29/41 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/03762

Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。

公开(公告)号：CN102156901A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110071713.3

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  青山智幸 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  荻田香 ,  楠本直人

IPC: G06K19/077 ,  H01L23/498 ,  H01L27/12 ,  D21H21/48

CPC classification number: D21H21/48 ,  B32B29/00 ,  D21H27/32 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括半导体器件的纸及具有该纸的物品。实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。

公开(公告)号：CN100539086C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610106032.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 ,  道前芳隆 ,  杉山荣二 ,  高桥秀和

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78621 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的在于提供一种薄膜电路部分的结构和制造薄膜电路部分的方法，通过该方法可以在薄膜电路下方容易地形成用于连接外部部分的电极。形成一种叠置体，该叠置体包括第一绝缘膜、形成于第一绝缘膜一个表面上方的薄膜电路、形成于薄膜电路上方的第二绝缘膜、形成于第二绝缘膜上方的电极和形成于电极上方的树脂膜。邻接叠置体第一绝缘膜的另一表面形成导电膜以与电极重叠。用激光照射导电膜。