布线电路基板及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116170942A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202211471312.1

    申请日:2022-11-23

    Abstract: 本发明提供具备具有较高的紧贴性和较高的连接可靠性的导通部的布线电路基板及其制造方法。布线电路基板具备:绝缘层,其具有在厚度方向贯通的通孔;第1导体层,其配置于绝缘层的厚度方向上的一侧的面;第2导体层,其配置于绝缘层的厚度方向上的另一侧的面;及导通部,其配置于通孔的内侧面,将第1导体层和第2导体层电连接。以下述的方式测量的长度为1μm以上且10μm以下。长度:在剖视时,画出线段,该线段将绝缘层的厚度方向上的一侧的面和内侧面相连接的第1连接点与绝缘层的厚度方向上的另一侧的面和内侧面相连接的第2连接点连结。在剖视时,在内侧面中,确定从线段向外侧离开最远的最外位置。测量从线段到最外位置的最短距离作为长度。

    低介电基板材料
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117178012A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202280029278.4

    申请日:2022-04-14

    Abstract: 低介电基板材料(1)具备:金属层(2)、和配置于厚度方向的金属层(2)的一个面的多孔质树脂层(3)。多孔质树脂层(3)包括:将多孔质树脂层(3)沿厚度方向进行4等分时,朝向远离金属层(2)的方向依次排列的第1区域(31)、第2区域(32)、第3区域(33)、和第4区域(34)。第1区域(31)在树脂基质(35)中具有相互独立的多个闭孔结构(30),第1区域31中的多个闭孔结构(30)的长径比AR的平均为0.80以上且1.20以下。长径比AR的平均为,在截面图中,与厚度方向正交的方向的闭孔结构30的长度L1与厚度方向的闭孔结构30的长度L2的比(L1/L2)。

    光电混装基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN103308981B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201310054894.8

    申请日:2013-02-20

    CPC classification number: G02B6/12004 G02B6/136 G02B6/138 G02B6/4214 G02B6/43

    Abstract: 本发明提供一种在抑制光传播损耗的增大、弯曲性、对于反复弯曲的耐性方面均优异的光电混装基板及其制造方法。该光电混装基板包括:在绝缘层1的表面形成电配线(2)而成的电路板E);光波导(W),其形成于该电路板(E)的上述绝缘层(1)的背面,该光波导(W)具有第1包层(6)和芯体(7);以及金属层(M),其形成于上述光波导W)的上述第1包层(6)与上述电路板(E)的上述绝缘层(1)的背面之间;上述光电混装基板的一部分形成为弯曲部,上述金属层(M)的与该弯曲部相对应的部分被局部去除,上述光波导的第1包层(6)进入并填充该去除痕迹(R1)。

    光电混装基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN103308981A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310054894.8

    申请日:2013-02-20

    CPC classification number: G02B6/12004 G02B6/136 G02B6/138 G02B6/4214 G02B6/43

    Abstract: 本发明提供一种在抑制光传播损耗的增大、弯曲性、对于反复弯曲的耐性方面均优异的光电混装基板及其制造方法。该光电混装基板包括:在绝缘层1的表面形成电配线(2)而成的电路板(E);光波导(W),其形成于该电路板(E)的上述绝缘层(1)的背面,该光波导(W)具有第1包层(6)和芯体(7);以及金属层(M),其形成于上述光波导(W)的上述第1包层(6)与上述电路板(E)的上述绝缘层(1)的背面之间;上述光电混装基板的一部分形成为弯曲部,上述金属层(M)的与该弯曲部相对应的部分被局部去除,上述光波导的第1包层(6)进入并填充该去除痕迹(R1)。

    布线电路基板和其制造方法

    公开(公告)号:CN115413112A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210579610.6

    申请日:2022-05-25

    Abstract: 本发明提供与第2布线部的电特性的变动相比能够抑制第1布线部的电特性的变动的布线电路基板和其制造方法。布线电路基板(1)朝向厚度方向上的一侧依次具备多孔质绝缘层(2)和第1导体层(31)。第1导体层(31)具有第1信号线(34)和第1接地线(35)。第1接地线(35)比第1信号线(34)厚。

Patent Agency Ranking