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公开(公告)号:CN113646401A
公开(公告)日:2021-11-12
申请号:CN202080024968.1
申请日:2020-03-23
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J7/38 , C09J11/08 , C09J133/00
Abstract: 本发明涉及粘合剂组合物,其特征在于,为包含基础聚合物和至少一种低聚物的粘合剂组合物,上述低聚物是将单体组合物聚合而得到的,所述单体组合物至少包含侧链上具有至少一种色素结构的乙烯基单体。
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公开(公告)号:CN105683738B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201480057429.2
申请日:2014-09-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/251 , G01N21/552 , G01N21/7703 , G01N2021/258 , G01N2201/08
Abstract: 提供了一种传感器元件,其在重复测量时展示出优异的测量精度。根据本发明的光波导(100)装配有包层(11)和芯层(12),所述芯层(12)埋设在所述包层(11)中以致所述芯层(12)的至少一个表面露出。所述包层的表面与所述芯层的露出的所述面的水接触角是80°以上。根据本发明的SPR传感器元件和比色传感器元件包括所述光波导(100)。
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公开(公告)号:CN103389547A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310135895.5
申请日:2013-04-18
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制光传播损失的增加且挠性也优异的光电混载基板及其制造方法。光电混载基板包括:电路基板(E),其通过在绝缘层(1)的表面上形成电布线(2)而构成;以及光波导路(W),其隔着金属层(M)形成于该电路基板(E)的上述绝缘层(1)的背面,其中,金属层(M)的至少一部分呈下述(A)或(B)中的任意一种图案形成状态,且上述光波导路(W)的第1包层(下包层)(6)进入并埋入到金属层(M)的经由该图案形成被去除而形成的去除痕迹中,(A)上述金属层(M)形成为分布形成有多个点状凸部(Ma)的图案,(B)在上述金属层(M)上形成有分布形成有多个点状凹部的图案。
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公开(公告)号:CN113646401B
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202080024968.1
申请日:2020-03-23
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J7/38 , C09J11/08 , C09J133/00
Abstract: 本发明涉及粘合剂组合物,其特征在于,为包含基础聚合物和至少一种低聚物的粘合剂组合物,上述低聚物是将单体组合物聚合而得到的,所述单体组合物至少包含侧链上具有至少一种色素结构的乙烯基单体。
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公开(公告)号:CN105074431B
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201480017509.5
申请日:2014-02-26
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/7703 , G01N2021/7776 , G01N2201/0638 , G01N2201/08
Abstract: 本发明提供具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。本发明的SPR传感器元件包括:下包层;芯层,其设置成使所述芯层的至少一部分与该下包层相邻;以及金属层,其覆盖该芯层,其中,该芯层具有折射率均匀层和折射率梯度层,该折射率梯度层配置在该折射率均匀层与该金属层之间,该折射率梯度层的折射率为该折射率均匀层的折射率以上,在该折射率梯度层的厚度方向上,该折射率梯度层的折射率自该折射率梯度层的靠该折射率均匀层侧的表面朝向该金属层侧连续地增大。
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公开(公告)号:CN103308995B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201310054895.2
申请日:2013-02-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B6/136 , G02B6/1221 , G02B6/138 , G02B6/43
Abstract: 本发明提供一种光电混装基板及其制造方法,其能够抑制光传播损耗的增大,并且在挠性方面也优异。该光电混装基板包括:在绝缘层(1)的表面形成电配线(2)而成的电路板(E);光波导(W),其形成于该电路板(E)的上述绝缘层(1)的背面;以及金属层(M),其形成于上述电路板(E)的上述绝缘层(1)的背面与上述光波导(W)之间;上述金属层(M)形成为具有多根带体(Ma)的图案,上述光波导(W)的芯体(7)配置在与上述金属层(M)的因该图案形成而被去除的去除痕迹(R1)相对应的部分。
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