公开(公告)号：CN110475814B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201880023445.8

申请日：2018-04-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村将义 ,  程野将行 ,  伊藤孝彦 ,  永冈直树 ,  日紫喜智昭

IPC: C08J9/28 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，作为毫米波天线用的片是有用的，并且，该聚合物膜具有优异的电路基板加工性。该多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的膜中分散形成有微细的孔隙，并且，上述膜的孔隙率为60％以上，上述孔隙的平均孔径为50μm以下，上述膜的多孔结构为独立气泡结构。

公开(公告)号：CN109496222B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201780046367.9

申请日：2017-04-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村将义 ,  程野将行 ,  伊藤孝彦 ,  永冈直树 ,  日紫喜智昭

IPC: C08J9/26 ,  C08G73/10

Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，可用作毫米波天线用的片。所述多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的膜中分散形成有微细的孔隙，其中，膜的孔隙率为60％以上，孔隙的平均孔径为10μm以下。

公开(公告)号：CN109496223A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201780046368.3

申请日：2017-04-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村将义 ,  程野将行 ,  伊藤孝彦 ,  永冈直树 ,  日紫喜智昭

IPC: C08J9/34 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，可用作毫米波天线用的片。所述多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的基础材料层中分散形成有微细的孔隙，其中，在基础材料层的至少一个表面形成有实质上平滑的表皮层，所述表皮层由形成基础材料层的聚合物材料形成。

公开(公告)号：CN113272130A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201980088030.3

申请日：2019-10-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松富亮人 ,  中村将义 ,  三岛慧

IPC: B32B15/08

Abstract: 低介电基板材料(1)具有：金属层(2)；多孔树脂层(3)，其配置于金属层(2)的厚度方向一面；以及隔离层(4)，其与多孔树脂层(3)相邻地配置于金属层(2)的一面，且比多孔树脂层(3)薄。

公开(公告)号：CN113272130B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201980088030.3

申请日：2019-10-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松富亮人 ,  中村将义 ,  三岛慧

IPC: B32B15/08

Abstract: 低介电基板材料(1)具有：金属层(2)；多孔树脂层(3)，其配置于金属层(2)的厚度方向一面；以及隔离层(4)，其与多孔树脂层(3)相邻地配置于金属层(2)的一面，且比多孔树脂层(3)薄。

公开(公告)号：CN109496223B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201780046368.3

申请日：2017-04-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村将义 ,  程野将行 ,  伊藤孝彦 ,  永冈直树 ,  日紫喜智昭

IPC: C08J9/34 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，可用作毫米波天线用的片。所述多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的基础材料层中分散形成有微细的孔隙，其中，在基础材料层的至少一个表面形成有实质上平滑的表皮层，所述表皮层由形成基础材料层的聚合物材料形成。

公开(公告)号：CN110475814A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880023445.8

申请日：2018-04-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村将义 ,  程野将行 ,  伊藤孝彦 ,  永冈直树 ,  日紫喜智昭

IPC: C08J9/28 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，作为毫米波天线用的片是有用的，并且，该聚合物膜具有优异的电路基板加工性。该多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的膜中分散形成有微细的孔隙，并且，上述膜的孔隙率为60％以上，上述孔隙的平均孔径为50μm以下，上述膜的多孔结构为独立气泡结构。

公开(公告)号：CN109496222A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201780046367.9

申请日：2017-04-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村将义 ,  程野将行 ,  伊藤孝彦 ,  永冈直树 ,  日紫喜智昭

IPC: C08J9/26 ,  C08G73/10

Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，可用作毫米波天线用的片。所述多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的膜中分散形成有微细的孔隙，其中，膜的孔隙率为60％以上，孔隙的平均孔径为10μm以下。