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公开(公告)号：CN110475814B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201880023445.8
申请日：2018-04-06
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，作为毫米波天线用的片是有用的，并且，该聚合物膜具有优异的电路基板加工性。该多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的膜中分散形成有微细的孔隙，并且，上述膜的孔隙率为60％以上，上述孔隙的平均孔径为50μm以下，上述膜的多孔结构为独立气泡结构。
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公开(公告)号：CN115210598A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180018211.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的树脂片(1a)具备多孔结构(10)。多孔结构(10)调整毫米波的透过。多孔结构(10)在树脂片(1a)的厚度方向上具有从毫米波入射的入射面起阶段性地变化的相对介电常数，以使得具有小于毫米波的波长的特定厚度的相邻两个层状部分的相对介电常数的平均值之差为给定值以下。多孔结构仅具有毫米波的波长的10％以下的孔径的空穴(12)作为空穴。
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公开(公告)号：CN115210597A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180018205.0
申请日：2021-03-02
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的树脂片(1a)具备多孔结构(10)。多孔结构(10)调整毫米波的透过。多孔结构在树脂片(1a)的厚度方向上具有变化的相对介电常数，以使得具有小于毫米波的波长的特定厚度的相邻两个层状部分(11)的相对介电常数的平均值之差为给定值以下。多孔结构(10)包含边界部分(11b)，该边界部分(11b)是相对介电常数的平均值变为最大的层状部分(11)。相对介电常数从树脂片(1a)的厚度方向上的多孔结构(10)的两端部(12)起朝向边界部分(11b)阶段性地增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109496223A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201780046368.3
申请日：2017-04-06
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，可用作毫米波天线用的片。所述多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的基础材料层中分散形成有微细的孔隙，其中，在基础材料层的至少一个表面形成有实质上平滑的表皮层，所述表皮层由形成基础材料层的聚合物材料形成。
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公开(公告)号：CN118043390A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280065705.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及复合材料，复合材料(1a)包含含有树脂(11)的骨架部(10)、无机粒子(12)、以及多个空隙(20)。无机粒子(12)的至少一部分沿着空隙(20)与骨架部(10)的边界配置。对复合材料(1a)进行剖视时，测定多个空隙(20)各自的尺寸Sz而得到的个数基准的尺寸Sz的第一分布D1具有2个以上的峰。
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公开(公告)号：CN109496223B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201780046368.3
申请日：2017-04-06
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，可用作毫米波天线用的片。所述多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的基础材料层中分散形成有微细的孔隙，其中，在基础材料层的至少一个表面形成有实质上平滑的表皮层，所述表皮层由形成基础材料层的聚合物材料形成。
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公开(公告)号：CN110475814A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880023445.8
申请日：2018-04-06
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种多孔的低介电性聚合物膜，其通过在毫米波的高频率下具有低介电常数，作为毫米波天线用的片是有用的，并且，该聚合物膜具有优异的电路基板加工性。该多孔的低介电性聚合物膜在由聚合物材料形成的膜中分散形成有微细的孔隙，并且，上述膜的孔隙率为60％以上，上述孔隙的平均孔径为50μm以下，上述膜的多孔结构为独立气泡结构。
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