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公开(公告)号：CN115210598A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180018211.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的树脂片(1a)具备多孔结构(10)。多孔结构(10)调整毫米波的透过。多孔结构(10)在树脂片(1a)的厚度方向上具有从毫米波入射的入射面起阶段性地变化的相对介电常数，以使得具有小于毫米波的波长的特定厚度的相邻两个层状部分的相对介电常数的平均值之差为给定值以下。多孔结构仅具有毫米波的波长的10％以下的孔径的空穴(12)作为空穴。
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公开(公告)号：CN106062888B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580011395.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: [课题]实现一种即使为了提高耐擦伤性而包含干式光学调整层，透明导电层也具有适当的蚀刻速度的透明导电性薄膜。[解决方法]在透明的薄膜基材(11)的主表面依次层叠有光学调整层(12)和透明导电层(13)的透明导电性薄膜(10)。光学调整层(12)包含含有无机氧化物的干式光学调整层。透明导电层(13)包含含有铟的金属氧化物。透明导电层(13)为结晶质，且至少具有对应于(400)面、(440)面的X射线衍射峰，将(400)面的X射线衍射峰强度设为I400、将(440)面的X射线衍射峰强度设为I440时，X射线衍射峰强度之比I440/I400为1.0～2.2的范围。
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公开(公告)号：CN105005405B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510185665.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B1/14 , B32B9/00 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/302 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/538 , B32B2307/704 , G02B1/11 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B1/08 , H01B5/14
Abstract: 本发明提供透明导电层为低电阻率、且具有优异的耐擦伤性的透明导电性薄膜。本发明为依次具备透明的薄膜基材、至少3层底涂层、以及透明导电层的透明导电性薄膜，前述至少3层底涂层自前述薄膜基材侧起包含：利用湿式涂覆法形成的第一底涂层、作为具有氧缺陷的金属氧化物层的第二底涂层、以及作为SiO2膜的第三底涂层，前述第三底涂层的密度为2.0g/cm3以上且2.8g/cm3以下，前述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且3.8×10‑4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN105814646A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201580003048.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B7/12 , B32B9/045 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/584 , B32B2307/704 , B32B2307/732 , B32B2307/736 , B32B2457/208 , G02B1/14
Abstract: 实现耐擦伤性高、制成片状时不产生成为问题的程度的卷曲的带保护薄膜的透明导电性薄膜。一种带保护薄膜的透明导电性薄膜(10)，其具备透明导电性薄膜(15)和保护薄膜(14)，所述透明导电性薄膜(15)具有：薄膜基材(11)、在薄膜基材(11)的一个主表面形成的光学调整层(12)、和在光学调整层(12)上形成的透明导电层(13)，所述保护薄膜(14)被粘贴于薄膜基材(11)的与透明导电层(13)处于相反侧的主表面，其中，透明导电性薄膜(15)及保护薄膜(14)具有在主表面内的至少一个方向上热收缩的特性，透明导电性薄膜(15)的主表面内的最大热收缩率(％)的绝对值比保护薄膜(14)的主表面内的最大热收缩率(％)的绝对值小，且其差为0.05％～0.6％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105492653A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN106460153B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN105005404B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510184959.X
申请日：2015-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/202 , B32B2307/302 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/538 , B32B2307/704 , C03C17/42 , C23C14/022 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/34 , G06F3/0416 , H01B1/08 , H01B5/14
Abstract: 本发明提供能使透明导电层低电阻率化、且具有优异的耐湿热性的透明导电性薄膜。本发明为依次具备透明的薄膜基材、至少3层底涂层和结晶质的透明导电层的透明导电性薄膜，前述至少3层底涂层自前述薄膜基材侧起包含利用湿式涂覆法形成的第一底涂层、作为具有氧缺陷的金属氧化物层的第二底涂层和作为化学计量组成的金属氧化物层的第三底涂层，前述透明导电层的表面粗糙度Ra为0.1nm以上且1.6nm以下，前述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且3.8×10‑4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN105659198A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201580002254.X
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 透明导电性薄膜(1)依次具备透明基材(2)、第1光学调整层(4)、无机物层(5)和透明导电层(6)。第1光学调整层(4)具有比透明基材(2)的折射率nA更低的折射率nC，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度TC。无机物层(5)具有比第1光学调整层(4)的折射率nC乘以1.13得到的值的绝对值|nC×1.13|更低的折射率nD。
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公开(公告)号：CN105659198B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580002254.X
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 透明导电性薄膜(1)依次具备透明基材(2)、第1光学调整层(4)、无机物层(5)和透明导电层(6)。第1光学调整层(4)具有比透明基材(2)的折射率nA更低的折射率nC，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度TC。无机物层(5)具有比第1光学调整层(4)的折射率nC乘以1.13得到的值的绝对值|nC×1.13|更低的折射率nD。
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