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公开(公告)号：CN105492653A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN110033879A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910322990.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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公开(公告)号：CN106460153B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN105492653B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且2.8×10‑4Ω·cm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107430935A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017831.7
申请日：2016-03-24
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 藤川宪一 , 久米克也 , 大内一男 , 星野利信 , 森本政和 , 大野博文 , 中林克之 , 山口美穗 , 松尾洋 , 奥野利昭 , 藤原诚 , 井本荣一 , 江部宏史 , 大牟礼智弘 , 尾关出光 , 山本贵士 , 加藤有树 , 松田知也 , 齐藤正一朗
Abstract: 本发明提供一种具有任意的形状、且对任意的多个区域内的磁体材料粒子赋予了各自不同的方向的易磁化轴的取向的单一烧结构造的、稀土类永磁体形成用烧结体的制造方法。在该方法中，利用混合含有稀土类物质的磁体材料粒子和树脂材料而形成的复合材料形成立体形状的第1成形体。一边将该第1成形体维持在比该树脂的软化温度高的温度，一边对第1成形体施加具有平行磁通的平行外部磁场，从而使磁体材料粒子的易磁化轴与该外部磁场的方向平行地取向，通过对该第1成形体施加该第1成形体中的横向截面的至少一部分的形状在该横向截面内变化那样的变形力，形成该横向截面的至少一部分中的磁体材料粒子的易磁化轴的取向方向变更成与第1成形体中的取向方向不同的取向方向的第2成形体。该第2成形体被加热成烧结温度，维持在该烧结温度预定时间。该第2成形体内的树脂被蒸腾，磁体材料粒子彼此被烧结而形成烧结体。
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公开(公告)号：CN115298582A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021889.X
申请日：2021-03-15
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/26 , H01L31/0232 , G02B5/22 , G02B5/02
Abstract: 滤光器(10)包含基体(12)、和分散于基体(12)中的微粒(14)，微粒(14)根据USAXS的图案求出的、以Ds＝λ/(B·cosθ·Ra)表示的参数Ds为8.0以上且30以下，其中，λ为X射线的波长，θ为达到散射强度的峰值的散射角2θ(rad)的一半，B为峰的半值宽度(FWHM、rad)，Ra为微粒(14)的平均粒径。
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公开(公告)号：CN107430935B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680017831.7
申请日：2016-03-24
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 藤川宪一 , 久米克也 , 大内一男 , 星野利信 , 森本政和 , 大野博文 , 中林克之 , 山口美穗 , 松尾洋 , 奥野利昭 , 藤原诚 , 井本荣一 , 江部宏史 , 大牟礼智弘 , 尾关出光 , 山本贵士 , 加藤有树 , 松田知也 , 齐藤正一朗
Abstract: 本发明提供一种具有任意的形状、且对任意的多个区域内的磁体材料粒子赋予了各自不同的方向的易磁化轴的取向的单一烧结构造的、稀土类永磁体形成用烧结体的制造方法。在该方法中，利用混合含有稀土类物质的磁体材料粒子和树脂材料而形成的复合材料形成立体形状的第1成形体。一边将该第1成形体维持在比该树脂的软化温度高的温度，一边对第1成形体施加具有平行磁通的平行外部磁场，从而使磁体材料粒子的易磁化轴与该外部磁场的方向平行地取向，通过对该第1成形体施加该第1成形体中的横向截面的至少一部分的形状在该横向截面内变化那样的变形力，形成该横向截面的至少一部分中的磁体材料粒子的易磁化轴的取向方向变更成与第1成形体中的取向方向不同的取向方向的第2成形体。该第2成形体被加热成烧结温度，维持在该烧结温度预定时间。该第2成形体内的树脂被蒸腾，磁体材料粒子彼此被烧结而形成烧结体。
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公开(公告)号：CN106460153A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN105637111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201580002175.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2250/02 , B32B2250/03 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/706 , B32B2307/732 , B32B2457/208 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/562 , C23C14/5806 , G06F3/044
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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