公开(公告)号：CN106460153B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201580022929.7

申请日：2015-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚 ,  加藤大贵 ,  待永广宣 ,  佐佐和明 ,  上田惠梨 ,  松田知也 ,  川上梨惠

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。

公开(公告)号：CN106460153A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580022929.7

申请日：2015-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚 ,  加藤大贵 ,  待永广宣 ,  佐佐和明 ,  上田惠梨 ,  松田知也 ,  川上梨惠

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。