-
公开(公告)号：CN114375486A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
-
公开(公告)号：CN117858975A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280057451.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·蔡 , P·K·库尔施拉希萨 , 蒋志钧 , 阮芳 , D·凯德拉亚
IPC: C23C16/44
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括形成含氟前驱物的等离子体。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中执行腔室清洁。处理区域可被至少部分地限定在面板与基板支撑件之间。方法可包括在腔室清洁期间产生氟化铝。方法可包括使处理区域内的表面与含碳前驱物接触。方法可包括使氟化铝从处理区域的表面挥发。
-
公开(公告)号：CN114375486B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
-
公开(公告)号：CN108231518B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201711276381.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 赫曼特·P·蒙格卡尔 , 威廉·普赖尔 , 蒋志钧
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及用于清洁处理腔室的方法。更特定地，本文中描述的实施方式涉及用于确定处理腔室清洁终点的方法。在一些实施方式中，提供一种用于检测清洁终点的“虚拟传感器”。“虚拟传感器”基于监测腔室前级管道压力在腔室的清洁期间的趋势，腔室的清洁涉及例如通过与如氟等离子体的蚀刻剂反应而将腔室部件上的固体沉积膜转化为气态副产物。已经通过将“虚拟传感器”响应与基于红外的光学测量进行比较而确认了“虚拟传感器”的有效性。在另一实施方式中，提供考虑到因设施设计和随时间的前级管道堵塞而造成的前级管道压力差的方法。
-
公开(公告)号：CN113302717A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201980088876.7
申请日：2019-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蒋志钧 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·罗伊巴曼 , H·湖尻 , 韩新海 , D·帕德希 , C·Y·王 , 陈玥 , D·R·本杰明拉吉 , N·S·乔拉普尔 , V·N·T·恩古耶 , M·S·方 , J·A·奥拉夫 , T·C·林
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种形成具有减少的缺陷的膜堆叠的方法，并且所述方法包括：将基板定位在处理腔室内的基板支撑件上；以及依序沉积多晶硅层和氧化硅层以在基板上产生膜堆叠。所述方法还包括：在处理腔室内生成沉积等离子体的同时向等离子体分布调制器供应大于5安培(A)的电流；在沉积多晶硅层和氧化硅层的同时将基板暴露于沉积等离子体；以及在沉积多晶硅层和氧化硅层的同时，将处理腔室维持在大于2托到约100托的压力下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231518A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711276381.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 赫曼特·P·蒙格卡尔 , 威廉·普赖尔 , 蒋志钧
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32963 , C23C16/4405 , G01B11/06 , G01B11/0683 , H01J37/32 , H01J37/32357 , H01J37/32972 , H01J37/32981 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及用于清洁处理腔室的方法。更特定地，本文中描述的实施方式涉及用于确定处理腔室清洁终点的方法。在一些实施方式中，提供一种用于检测清洁终点的“虚拟传感器”。“虚拟传感器”基于监测腔室前级管道压力在腔室的清洁期间的趋势，腔室的清洁涉及例如通过与如氟等离子体的蚀刻剂反应而将腔室部件上的固体沉积膜转化为气态副产物。已经通过将“虚拟传感器”响应与基于红外的光学测量进行比较而确认了“虚拟传感器”的有效性。在另一实施方式中，提供考虑到因设施设计和随时间的前级管道堵塞而造成的前级管道压力差的方法。
-
-
公开(公告)号：CN116711050A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180079746.4
申请日：2021-10-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 示例性半导体结构和处理方法可包括形成第一半导体层的第一部分，其特征在于用于蚀刻处理的第一蚀刻速率；形成第一半导体层的第二部分，其特征在于比用于蚀刻处理的第一蚀刻速率更小的第二蚀刻速率；以及形成第一半导体层的第三部分，其特征在于比第二蚀刻速率更大的第三蚀刻速率。所述处理方法可进一步包括穿过第一半导体层蚀刻开口，其中所述开口具有高度和宽度，并且其中所述开口的特征在于所述开口的高度的中点与所述开口的端点之间的宽度变化小于或约为5埃。
-
公开(公告)号：CN116547795A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180078826.8
申请日：2021-10-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 描述了半导体处理系统和方法，其可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，其中基板处理区域包括静电夹盘。方法可进一步包括由沉积前驱物在静电夹盘上沉积陈化层以形成陈化的静电夹盘。陈化层可以由大于或约3.5的介电常数表征。方法可又进一步包括向陈化的静电夹盘施加大于或约500V的电压。陈化的静电夹盘可以由当施加电压时小于或约25mA的漏电流表征。
-
公开(公告)号：CN112714948A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201980060100.4
申请日：2019-08-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中讨论了用于工艺腔室的系统和方法，所述系统和方法降低了由于松动的积垢而导致的基板缺陷的严重性和发生。气体分配组件设置在工艺腔室中，并包括面板和第二构件，面板具有穿过面板形成的多个孔。面板耦接至第二构件，第二构件被配置成耦接至面板以减小面板的暴露面积并使在向工艺腔室中释放气体期间用于材料积聚的可用面积最小化。第二构件被进一步配置成改善前驱物到工艺腔室中的辉光。气体分配组件可在工艺腔室操作之前和期间被加热，并且可在工艺腔室操作之间保持加热。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.033 seconds)
