公开(公告)号：CN103715249A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310394830.2

申请日：2013-09-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGaN／GaN HEMT，其包括：电子渡越层；形成在电子渡越层上方的电子供给层；以及形成在电子供给层上方的栅电极，其中仅在电子渡越层的包含在栅电极下方区域中的位置处形成有p型半导体区域。

公开(公告)号：CN103035702B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN103035703A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN103035703B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN103035696B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210264652.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛丰生 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上自发极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的自发极化方向相反的方向上自发极化的第二晶体，以及覆盖层包含p型掺杂剂。

公开(公告)号：CN103035696A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210264652.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛丰生 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的极化方向相反的方向上极化的第二晶体。

公开(公告)号：CN103972115A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310594257.X

申请日：2013-11-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树 ,  宫岛丰生

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26

CPC classification number: H01L24/13 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在布线板的第一电极和半导体元件的第二电极中的至少一者的表面上形成阻挡金属膜；在第一电极与第二电极之间设置连接端子，连接端子由含锡、铋和锌的钎料制成；以及通过加热连接端子并且将连接端子的温度保持在不低于钎料熔点的恒定温度下一定时间段，来将连接端子接合至阻挡金属膜。

公开(公告)号：CN103022105A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210353412.4

申请日：2012-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 金村雅仁 ,  宫岛丰生 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/42364 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H03F1/3247

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层上的第二半导体层；设置在第二半导体层上的下绝缘膜；设置在下绝缘膜上的p型导电氧化物膜；设置在氧化物膜上的上绝缘膜；和设置在上绝缘膜上的栅电极，其中在栅电极下方的下绝缘膜具有凹陷部分。

公开(公告)号：CN102646702A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035488.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛丰生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在基板上方的半导体层；形成在半导体层上方的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上方的电极，其中绝缘膜包括含有碳的非晶膜。

公开(公告)号：CN103972115B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310594257.X

申请日：2013-11-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  作山诚树 ,  宫岛丰生

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26

CPC classification number: H01L24/13 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在布线板的第一电极和半导体元件的第二电极中的至少一者的表面上形成阻挡金属膜；在第一电极与第二电极之间设置连接端子，连接端子由含锡、铋和锌的钎料制成；以及通过加热连接端子并且将连接端子的温度保持在不低于钎料熔点的恒定温度下一定时间段，来将连接端子接合至阻挡金属膜。