公开(公告)号：CN103715245B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310329317.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体装置，所述半导体装置包括：形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；以及形成在电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且包括具有不同Al组成比的两层或更多层，SLS缓冲层通过将包括AlN的第一晶格层和包括GaN的第二晶格层交替地层叠而形成，并且缓冲层中的各层中与SLS缓冲层接触的一层中的Al组成比大于或等于SLS缓冲层中的Al有效组成比。

公开(公告)号：CN103715246A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310349467.2

申请日：2013-08-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层，该应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体，该应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。

公开(公告)号：CN103035697A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210265575.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及半导体器件及制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层，第一半导体层包含杂质元素；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层；以及形成在第三半导体层上的栅电极、源电极和漏电极。在半导体器件中，第二半导体层包括杂质扩散区，包含在第一半导体层中的杂质元素扩散在杂质扩散区中，杂质扩散区位于栅电极正下方并且与第一半导体层接触，并且杂质元素使杂质扩散区成为p型杂质扩散区。

公开(公告)号：CN104078500B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410098707.0

申请日：2014-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种化合物半导体器件，包括：衬底；和形成在衬底之上的化合物半导体层叠结构，该化合物半导体层叠结构包括含杂质的缓冲层，和形成在缓冲层之上的有源层。

公开(公告)号：CN102956679B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210277906.9

申请日：2012-08-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  苫米地秀一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；布置在所述衬底之上的GaN化合物半导体多层结构；以及基于AlN的并且布置在所述衬底与所述GaN化合物半导体多层结构之间的应力消除层，其中所述应力消除层的与所述GaN化合物半导体多层结构接触的表面包括具有深度为5nm或更大并且以2×1010cm-2或更大的数目密度形成的凹部。

公开(公告)号：CN103715242A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310316249.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。

公开(公告)号：CN103715242B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310316249.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。

公开(公告)号：CN103715246B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201310349467.2

申请日：2013-08-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层，该应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体，该应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。

公开(公告)号：CN103715248A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310378765.4

申请日：2013-08-27

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  小谷淳二 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层；形成在第三半导体层上的栅电极；以及形成在第四半导体层上并接触第四半导体层的源电极和漏电极，其中第三半导体层在栅电极正下方的区域上由用于实现p型的半导体材料形成，并且第四半导体层中的硅的浓度高于第二半导体层中的硅的浓度。

公开(公告)号：CN103367421A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310062374.1

申请日：2013-02-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  宫岛丰生 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、氮化物半导体晶体及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底之上的成核层；形成在成核层之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一氮化物半导体层以及形成在第一氮化物半导体层之上的第二氮化物半导体层，其中在光致发光中黄光发射与带边发射之比为400％或更小，并且X射线摇摆曲线中的扭转值为1000角秒或更小。