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公开(公告)号：CN114934263B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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公开(公告)号：CN115725960A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211437848.1
申请日：2022-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/02 , C23C16/14 , C23C16/32 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/56 , C30B25/12
Abstract: 本申请涉及半导体领域，公开了一种具有TaC复合涂层的石墨盘及其制备方法，具有TaC复合涂层的石墨盘的制备方法包括以下步骤：对石墨盘表面进行图形化预处理，使所述石墨盘表面形成规则整齐排列的凹坑阵列；在所述石墨盘表面依次形成SiC涂层、金属涂层、TaC涂层，使所述石墨盘表面形成TaC复合涂层；在所述TaC涂层表面进行后处理使所述TaC涂层表面非晶化，在高温惰性气体氛围中进行退火处理。本申请所提供的具有TaC复合涂层的石墨盘及其制备方法，通过优化改进石墨盘表面的预处理方法，增加涂层与石墨表面之间的结合强度，提升涂层的可靠性；通过优化TaC复合涂层结构，减少涂层裂纹的产生，进一步提升涂层的可靠性。
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公开(公告)号：CN114512574B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210413983.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的连续化制造设备，该异质结太阳能电池的连续化制造设备包括传输腔、上料腔、下料腔及反应腔；上料腔、多个反应腔及下料腔依次螺旋设置在传输腔侧壁上；传输腔中部设有输送立柱及与输送立柱连接的螺旋驱动机构；输送立柱上具有多个螺旋分布设置的输送组件；螺旋驱动机构用于驱动输送立柱进行螺旋升降运动；该设备设置螺旋分布的上料腔、多个反应腔及下料腔及螺旋分布的多个输送组件，使得输送组件在螺旋驱动机构驱动输送立柱运动的作用下，持续将工件输送到不同的反应腔中进行表面加工，实现了异质结太阳能电池的连续化制造。
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公开(公告)号：CN114115369B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210085057.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。
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公开(公告)号：CN114182341A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111581945.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118758194B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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公开(公告)号：CN114032612B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
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公开(公告)号：CN114808068A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210191513.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阳极，Nb金属板作为阴极放入盛有NaCl‑NbCl5混合材料的电解槽中；在惰性气体氛围下将NaCl‑NbCl5混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
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公开(公告)号：CN113638043B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110936866.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质，其中，系统包括：冷却室，用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体；气体温度计，用于获取吹扫气体的第一温度信息；温度调节机构；测温计，用于获取外延片的第二温度信息；气体循环机构；控制器，用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却，并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温；该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息，防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。
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公开(公告)号：CN114068308B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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