公开(公告)号：CN101673708A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910170740.9

申请日：2009-09-09

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 肋坂伸治

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具有层间绝缘膜布线层叠构造部的半导体装置及其制造方法，在不必要半导体装置形成区域(22b、22c)中，仅在除了与切割道(23)及其两侧对应的区域以外的区域形成包含铜的柱状电极(14)，在与该切割道(23)及其两侧对应的区域不形成柱状电极(14)。由此，能够在切割刀上不产生铜的筛眼阻塞。此时，在半导体晶片上交替层叠形成多层低介电常数膜和同样数量层的布线，并在其上隔着绝缘膜形成的上层布线的连接焊盘部上形成柱状电极(14)。

公开(公告)号：CN101840874A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010135705.6

申请日：2010-03-12

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 肋坂伸治

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 半导体器件的制造方法包括：准备半导体晶片，具备被分别沿着第1方向及第2方向延伸的多个切割道包围的各半导体器件形成区域，在上述各半导体器件形成区域形成有多个柱状电极以及设在该柱状电极的周围的密封膜；对于分别最接近于沿着第1方向延伸的一对切割道的多个柱状电极、或者分别最接近于沿着第2方向延伸的一对切割道的多个柱状电极，在向该半导体器件形成区域的内侧偏离并且与该柱状电极相接的位置形成焊料膏层；通过回流，将与分别最接近于沿着第1方向延伸的一对切割道的多个柱状电极接触的焊料膏层、或者与分别最接近于沿着第2方向延伸的一对切割道的多个柱状电极接触的焊料膏层向该半导体器件形成区域的外侧移动来形成焊料凸块。

公开(公告)号：CN102142417A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010610892.9

申请日：2010-11-12

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 肋坂伸治

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/28 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/4889 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11612 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/214

Abstract: 一种半导体装置，包含：半导体结构体，该半导体结构体具有半导体衬底和凸设在半导体衬底表面的外部连接用电极；搭载半导体结构体的基板；和密封层，该密封层层叠在除了外部连接用电极以外的半导体衬底上、和包含半导体衬底侧面的基板上。

公开(公告)号：CN101944518A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010222786.3

申请日：2010-07-02

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 肋坂伸治 ,  若林猛

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/09 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48151 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/214

Abstract: 本发明提供一种半导体结构体及其制造方法、半导体器件及其制造方法。该半导体结构体包括：半导体基板和设置在所述半导体基板上的多个连接焊盘。将所述连接焊盘的几个连接于共用布线上，将所述连接焊盘剩余的至少一个连接于布线上。结构体还包括连接于所述共用布线设置的第1柱状电极和连接于所述布线的连接焊盘部设置的第2柱状电极。