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公开(公告)号：CN109643744B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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公开(公告)号：CN109643744A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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公开(公告)号：CN1667849A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510053612.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在发光层部通过反射用金属层将补强用导电基板贴合，既容易制造，又可良好地维持金属层所形成的反射面的反射率。发光元件具有化合物半导体层，该层具有发光层部及形成于该发光层部的第一主表面上的电流扩散层。该化合物半导体层的第二主表面，是通过反射金属层结合于构成导电性元件基板的Si基板的第一主表面上。反射金属层10是由以Au、Ag、或Al之任一作为主成分的金属构成。反射金属层与Si基板通过导电性粘着材层11贴合，该导电性粘着材层11是将以Au、Al、Cu、或Ni为主成分的金属粒子，以环氧系高分子材料、氨基甲酸系高分子材料或丙烯酸系高分子材料等构成的高分子结合材料结合而构成。
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公开(公告)号：CN106067494A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610130003.6
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种磊晶晶圆，能改善在发光波长为670nm以上且690nm以下的范围，自AlGaInp系材料所构成的发光部的发光效率。本发明的磊晶晶圆包含发光层，是由以化学式(AlxGa1‑x)yIn1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层所积层而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，该活性层为阱层与障壁层交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≤x≤0.45，0＜y＜1。
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公开(公告)号：CN101589479A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200880002856.5
申请日：2008-01-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/304 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/02052
Abstract: 在具有发光层部24的由III-V族化合物半导体所构成的主化合物半导体层50一方的主表面，具有将透明导电性半导体基板70直接贴合的构造，且将主化合物半导体层50与透明导电性半导体基板70的贴合界面的碱金属原子浓度调整在大于或等于1×10 14 atoms/cm 2 、小于或等于2×10 15 atoms/cm 2 的范围。由此，提供一种可充分降低发光层部与透明导电性半导体基板界面电阻的发光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101454908B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200780019441.4
申请日：2007-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L24/05 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463
Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III-V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)中至少一个上形成贴合面，使得两者贴合，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。
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公开(公告)号：CN101589479B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200880002856.5
申请日：2008-01-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/304 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/02052
Abstract: 在具有发光层部24的由III-V族化合物半导体所构成的主化合物半导体层50一方的主表面，具有将透明导电性半导体基板70直接贴合的构造，且将主化合物半导体层50与透明导电性半导体基板70的贴合界面的碱金属原子浓度调整在大于或等于1×1014atoms/cm2、小于或等于2×1015atoms/cm2的范围。由此，提供一种可充分降低发光层部与透明导电性半导体基板界面电阻的发光元件。
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公开(公告)号：CN100421270C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510053612.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在发光层部通过反射用金属层将补强用导电基板贴合，既容易制造，又可良好地维持金属层所形成的反射面的反射率。发光元件具有化合物半导体层，该层具有发光层部及形成于该发光层部的第一主表面上的电流扩散层。该化合物半导体层的第二主表面，是通过反射金属层结合于构成导电性元件基板的Si基板的第一主表面上。反射金属层10是由以Au、Ag、或Al之任一作为主成分的金属构成。反射金属层与Si基板通过导电性粘着材层11贴合，该导电性粘着材层11是将以Au、Al、Cu、或Ni为主成分的金属粒子，以环氧系高分子材料、氨基甲酸系高分子材料或丙烯酸系高分子材料等构成的高分子结合材料结合而构成。
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公开(公告)号：CN107078189A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050792.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP(0＜x≦0.06、0＜y＜1)的化合物半导体所构成；以及该障壁层由化学式(AlmGal‑m)nIn1‑nP(0≦m≦1、0＜n＜1)的化合物半导体所构成。通过使用此量子阱构造的活性层，能于短波长区域(黄色发光)得到高发光效率。
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公开(公告)号：CN105122477A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480020742.9
申请日：2014-03-07
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0062 , H01L33/0066 , H01L33/30
Abstract: 本发明涉及一种依次具备导电性支持基板、金属层及发光部的半导体发光组件，该半导体发光组件的特征在于，所述发光部依次包括n型电流扩散层、n型被覆层、活性层、p型被覆层及p型电流扩散层；所述发光部的各层由AlGaInP类半导体构成；所述半导体发光组件还具备：第一欧姆细线电极，其局部地覆盖所述p型电流扩散层；第二欧姆细线电极，其局部地设置在所述金属层与所述n型电流扩散层之间；从顶面观察，所述第一欧姆细线电极与所述第二欧姆细线电极被配置在相互不重叠的位置，所述n型电流扩散层与所述n型被覆层晶格匹配。由此，提供一种在P侧朝上的金属反射型发光组件中，抑制半导体层厚度的增加并改善局部电流集中的高亮度半导体发光组件。
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