公开(公告)号：CN106067494A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610130003.6

申请日：2016-03-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 酒井健滋 ,  池田淳 ,  川原实

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明提供一种磊晶晶圆，能改善在发光波长为670nm以上且690nm以下的范围，自AlGaInp系材料所构成的发光部的发光效率。本发明的磊晶晶圆包含发光层，是由以化学式(AlxGa1‑x)yIn1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层所积层而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，该活性层为阱层与障壁层交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≤x≤0.45，0＜y＜1。

公开(公告)号：CN113345991A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110227150.6

申请日：2021-03-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 酒井健滋 ,  桑原政彦

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种寿命特性良好的化合物半导体外延片及其制造方法。本发明的化合物半导体外延片是由p型GaAs1‑xPx(0.45≤x≤1.0)层与n型GaAs1‑xPx(0.45≤x≤1.0)层形成作为发光部的p‑n结界面，并在包含该p‑n结界面的部分形成有氮浓度固定的区域的化合物半导体外延片，在所述氮浓度固定的区域中，在2.0×1016～0.2×1016(个原子/cm3)的范围内、以从所述n型GaAs1‑xPx层向所述p型GaAs1‑xPx层的方向逐渐减少的方式掺杂作为n型掺杂剂的Te。

公开(公告)号：CN113675306A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110518659.6

申请日：2021-05-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 篠原政幸 ,  酒井健滋 ,  高桥雅宣

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种以低成本改善了结晶性并提升了亮度的化合物半导体外延片及其制造方法。所述化合物半导体外延片在由GaM构成的单晶基板(M为P或As)和由GaA(1‑a)Ma构成的混晶率恒定层(其中，A为P或As，M和A不同；且0≤a≤1)之间，包含由GaA(1‑x)Mx(其中，0≤x≤1)构成的混晶率变化层，混晶率变化层具有由A的混晶率增加部和A的混晶率减少部构成的多个阶梯，多个阶梯各自的厚度为2～4μm，在混晶率变化层中形成有5～19个阶梯，在各个阶梯之间，A的混晶率从单晶基板向混晶率恒定层增加。

公开(公告)号：CN111315845A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072592.4

申请日：2018-10-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樋口晋 ,  酒井健滋 ,  山田雅人 ,  高桥雅宣 ,  石崎顺也

IPC: C09K11/70

Abstract: 本发明为一种半导体型荧光体，其特征在于，所述半导体型荧光体通过注入激发光而进行光致发光，所述半导体型荧光体包含：至少一层由化合物半导体构成，且含有n型掺杂剂或p型掺杂剂的活性层；及至少两层由化合物半导体构成，且带隙比所述活性层大的阻挡层，所述活性层与所述阻挡层交替层叠。由此，提供一种易于调节波长、效率高且稳定的半导体型荧光体。

公开(公告)号：CN107078189A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050792.6

申请日：2015-09-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 酒井健滋 ,  池田淳

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP(0＜x≦0.06、0＜y＜1)的化合物半导体所构成；以及该障壁层由化学式(AlmGal‑m)nIn1‑nP(0≦m≦1、0＜n＜1)的化合物半导体所构成。通过使用此量子阱构造的活性层，能于短波长区域(黄色发光)得到高发光效率。

公开(公告)号：CN105122477A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480020742.9

申请日：2014-03-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 酒井健滋 ,  池田淳

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明涉及一种依次具备导电性支持基板、金属层及发光部的半导体发光组件，该半导体发光组件的特征在于，所述发光部依次包括n型电流扩散层、n型被覆层、活性层、p型被覆层及p型电流扩散层；所述发光部的各层由AlGaInP类半导体构成；所述半导体发光组件还具备：第一欧姆细线电极，其局部地覆盖所述p型电流扩散层；第二欧姆细线电极，其局部地设置在所述金属层与所述n型电流扩散层之间；从顶面观察，所述第一欧姆细线电极与所述第二欧姆细线电极被配置在相互不重叠的位置，所述n型电流扩散层与所述n型被覆层晶格匹配。由此，提供一种在P侧朝上的金属反射型发光组件中，抑制半导体层厚度的增加并改善局部电流集中的高亮度半导体发光组件。