公开(公告)号：CN113675306A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110518659.6

申请日：2021-05-12

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 篠原政幸 ,  酒井健滋 ,  高桥雅宣

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供一种以低成本改善了结晶性并提升了亮度的化合物半导体外延片及其制造方法。所述化合物半导体外延片在由GaM构成的单晶基板(M为P或As)和由GaA(1‑a)Ma构成的混晶率恒定层(其中，A为P或As，M和A不同；且0≤a≤1)之间，包含由GaA(1‑x)Mx(其中，0≤x≤1)构成的混晶率变化层，混晶率变化层具有由A的混晶率增加部和A的混晶率减少部构成的多个阶梯，多个阶梯各自的厚度为2～4μm，在混晶率变化层中形成有5～19个阶梯，在各个阶梯之间，A的混晶率从单晶基板向混晶率恒定层增加。

公开(公告)号：CN111315845A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072592.4

申请日：2018-10-11

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 樋口晋 ,  酒井健滋 ,  山田雅人 ,  高桥雅宣 ,  石崎顺也

IPC分类号： C09K11/70

摘要： 本发明为一种半导体型荧光体，其特征在于，所述半导体型荧光体通过注入激发光而进行光致发光，所述半导体型荧光体包含：至少一层由化合物半导体构成，且含有n型掺杂剂或p型掺杂剂的活性层；及至少两层由化合物半导体构成，且带隙比所述活性层大的阻挡层，所述活性层与所述阻挡层交替层叠。由此，提供一种易于调节波长、效率高且稳定的半导体型荧光体。

公开(公告)号：CN109148656A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810459772.X

申请日：2018-05-15

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 筱原政幸 ,  樋口晋 ,  高桥雅宣

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，相较以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升，其于基板上形成n型磊晶层、p型磊晶层，其中，n型磊晶层及p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，n型磊晶层的形成具有形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一n型层的步骤，p型磊晶层的形成具有于第一n型层上形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一p型层的步骤以及于第一p型层的上方形成化合物半导体组成为固定且不含氮且较第一p型层的载子浓度为高的第二p型层的步骤，第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为薄。