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发明公开
化合物半导体外延片及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN113675306A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110518659.6

申请日：2021-05-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 篠原政幸 , 酒井健滋 , 高桥雅宣

IPC: H01L33/16 , H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种以低成本改善了结晶性并提升了亮度的化合物半导体外延片及其制造方法。所述化合物半导体外延片在由GaM构成的单晶基板(M为P或As)和由GaA(1‑a)Ma构成的混晶率恒定层(其中，A为P或As，M和A不同；且0≤a≤1)之间，包含由GaA(1‑x)Mx(其中，0≤x≤1)构成的混晶率变化层，混晶率变化层具有由A的混晶率增加部和A的混晶率减少部构成的多个阶梯，多个阶梯各自的厚度为2～4μm，在混晶率变化层中形成有5～19个阶梯，在各个阶梯之间，A的混晶率从单晶基板向混晶率恒定层增加。

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