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发明公开
化合物半导体外延片及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN113345991A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110227150.6

申请日：2021-03-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 酒井健滋 , 桑原政彦

IPC: H01L33/30 , H01L33/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种寿命特性良好的化合物半导体外延片及其制造方法。本发明的化合物半导体外延片是由p型GaAs1‑xPx(0.45≤x≤1.0)层与n型GaAs1‑xPx(0.45≤x≤1.0)层形成作为发光部的p‑n结界面，并在包含该p‑n结界面的部分形成有氮浓度固定的区域的化合物半导体外延片，在所述氮浓度固定的区域中，在2.0×1016～0.2×1016(个原子/cm3)的范围内、以从所述n型GaAs1‑xPx层向所述p型GaAs1‑xPx层的方向逐渐减少的方式掺杂作为n型掺杂剂的Te。

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