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公开(公告)号：CN105283970B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201480033929.2
申请日：2014-05-16
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/30
Abstract: 本发明是一种发光元件，其具有：四元发光层；第一窗层，其形成在该四元发光层的一侧的主表面侧；第二窗层，其形成在所述四元发光层的另一侧的主表面侧，其特征在于，所述四元发光层的侧面比所述第一窗层和所述第二窗层的侧面更向所述发光元件的内侧凹陷。由此，可减少被破坏而变成不亮的不良情况，并可抑制光辐射功率输出和Vf的变动的高亮度发光元件及其制造成为可能。
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公开(公告)号：CN105283970A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480033929.2
申请日：2014-05-16
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/30
Abstract: 本发明是一种发光元件，其具有：四元发光层；第一窗层，其形成在该四元发光层的一侧的主表面侧；第二窗层，其形成在所述四元发光层的另一侧的主表面侧，其特征在于，所述四元发光层的侧面比所述第一窗层和所述第二窗层的侧面更向所述发光元件的内侧凹陷。由此，可减少被破坏而变成不亮的不良情况，并可抑制光辐射功率输出和Vf的变动的高亮度发光元件及其制造成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115997050A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180046066.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及单晶的晶种层，其设置在平坦化层的上表面，在表面具有凹凸图案，且厚度为0.1μm以上且1.5μm以下。
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公开(公告)号：CN106102449A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014018.X
申请日：2015-03-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: A01G7/00
CPC classification number: A01G7/045 , Y02P60/149
Abstract: 本发明是一种植物育成用照明装置，包含红光LED，发光波长为在600～680nm间；以及远红光LED或红外光LED，发光波长为在700～900nm间。该红光LED所发出红光与远红光LED或红外光LED所发出远红光及红外光系为能以脉冲状交互地照射。借此提供一种促进植物光合作用，植物生长良好的植物育成用照明装置及植物育成方法。
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公开(公告)号：CN116249803A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180066639.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5
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公开(公告)号：CN115698391A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041183.X
申请日：2021-04-12
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B25/18 , H01L21/02 , H01L21/205 , C30B29/38 , C23C16/34
Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及晶种层，其设置在平坦化层的上表面，具有0.1μm以上且1.5μm以下的厚度，且由III族氮化物的单晶形成。
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公开(公告)号：CN106067494A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610130003.6
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种磊晶晶圆，能改善在发光波长为670nm以上且690nm以下的范围，自AlGaInp系材料所构成的发光部的发光效率。本发明的磊晶晶圆包含发光层，是由以化学式(AlxGa1‑x)yIn1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层所积层而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，该活性层为阱层与障壁层交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≤x≤0.45，0＜y＜1。
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