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公开(公告)号：CN117015840A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280014723.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，该氮化物半导体基板具备：耐热性支撑基板，其以密封层封入有由氮化物陶瓷形成的芯部；平坦化层，其设置于该耐热性支撑基板上；单晶硅层，其设置于该平坦化层上且碳浓度为1×1017个原子/cm3以上；碳化层，其以碳化硅为主成分、设置于该单晶硅层上且厚度为4～2000nm；及氮化物半导体层，其设置于该碳化层上。由此，提供高质量的氮化物半导体基板(尤其是适合于高频开关、功率放大器、功率切换器件用的GaN系高电子迁移率晶体管(HEMT)的氮化物半导体基板)及其制造方法。
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公开(公告)号：CN116249803A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180066639.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5
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公开(公告)号：CN115698391A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041183.X
申请日：2021-04-12
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B25/18 , H01L21/02 , H01L21/205 , C30B29/38 , C23C16/34
Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及晶种层，其设置在平坦化层的上表面，具有0.1μm以上且1.5μm以下的厚度，且由III族氮化物的单晶形成。
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公开(公告)号：CN116940720A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280020112.6
申请日：2022-03-04
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 目的是获得几乎没有晶体缺陷的高品质且价廉的包含如AlN、AlxGa1‑xN(0 单晶的0.1～1.5μm的表面层进行薄膜转印而设置晶种层。
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公开(公告)号：CN115997050A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180046066.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及单晶的晶种层，其设置在平坦化层的上表面，在表面具有凹凸图案，且厚度为0.1μm以上且1.5μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112262456B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201980038692.X
申请日：2019-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/304 , H10D86/60
Abstract: 本发明为GaN层叠基板的制造方法，其具有：进行偏离角度0.5～5度的C面蓝宝石基板(11)的800～1000℃下的高温氮化处理以对所述C面蓝宝石基板进行表面处理的工序；在所述表面处理过的C面蓝宝石基板(11)的表面上使GaN外延生长以制作表面包含N极性面的GaN膜负载体的工序；对所述GaN膜(13)进行离子注入以形成离子注入区域(13离子)的工序；将所述经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支承基板(12)贴合并接合的工序；和在所述GaN膜(13)中的离子注入区域(13离子)使其剥离以将GaN薄膜(13a)在支承基板(12)上转印、得到在支承基板(12)上具有表面包含Ga极性面的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)的工序，通过一次的转印工艺就得到以Ga面为表面的结晶性良好的GaN层叠基板。
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公开(公告)号：CN118159693A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280072193.4
申请日：2022-06-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B25/18 , C04B35/581 , C04B41/87 , C30B29/38 , H01L21/20
Abstract: 本发明涉及可得到晶体缺陷少、高品质且廉价的AlN、AlxGa1‑xN(0 单晶的表层0.1～1.5μm进行薄膜转印的方式而设置。
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公开(公告)号：CN110892506B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201880046539.7
申请日：2018-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种具有高热导率、高散热性并且在高频损耗小的器件基板，以及该器件基板的制造方法。本发明的器件基板1可以通过以下方法制造：使用临时贴合粘合剂31将SOI器件基板10的Si器件层侧临时贴合到支撑基板20，该SOI器件基板包括Si基础基板11、形成在Si基础基板上的具有高热导率且为电绝缘体的Box层12、和形成在Box层上的Si器件层13；去除临时贴合的SOI器件基板的Si基础基板11，直到露出Box层，从而获得减薄的器件晶片10a；使用耐热温度至少150℃的转移粘合剂32，通过施加热量和压力，将减薄的器件晶片的Box层侧与转移基板40彼此转移贴合，该转移基板具有高热导率并且是电绝缘体；以及分离支撑基板20。
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公开(公告)号：CN108138358B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680052879.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN107108218A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070163.X
申请日：2015-12-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B32/15 , B32B9/00 , B32B15/04 , C01B32/956 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L29/06
CPC classification number: B32B9/00 , B32B15/04 , C01B32/05 , C01B32/184 , C01B32/956 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供复合基板，其具有：厚度1μm以下的单晶碳化硅薄膜11；支承该单晶碳化硅薄膜11的由耐热温度1100℃以上的耐热材料(其中，不包括单晶碳化硅)制成的操作基板12；和在上述单晶碳化硅薄膜11与操作基板12之间设置的、由选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化锆、硅和碳化硅中的至少1种的材料、或者选自Ti、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zr、Mo、Ta和W中的至少1种的金属材料制成的厚度为1μm以下的中介层13。本发明的复合基板可以廉价地制作缺陷少的纳米碳膜。
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