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公开(公告)号：CN115997050A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180046066.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及单晶的晶种层，其设置在平坦化层的上表面，在表面具有凹凸图案，且厚度为0.1μm以上且1.5μm以下。
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公开(公告)号：CN116249803A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180066639.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5
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公开(公告)号：CN115698391A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041183.X
申请日：2021-04-12
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B25/18 , H01L21/02 , H01L21/205 , C30B29/38 , C23C16/34
Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及晶种层，其设置在平坦化层的上表面，具有0.1μm以上且1.5μm以下的厚度，且由III族氮化物的单晶形成。
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公开(公告)号：CN105283970B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201480033929.2
申请日：2014-05-16
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/30
Abstract: 本发明是一种发光元件，其具有：四元发光层；第一窗层，其形成在该四元发光层的一侧的主表面侧；第二窗层，其形成在所述四元发光层的另一侧的主表面侧，其特征在于，所述四元发光层的侧面比所述第一窗层和所述第二窗层的侧面更向所述发光元件的内侧凹陷。由此，可减少被破坏而变成不亮的不良情况，并可抑制光辐射功率输出和Vf的变动的高亮度发光元件及其制造成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105283970A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480033929.2
申请日：2014-05-16
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/30
Abstract: 本发明是一种发光元件，其具有：四元发光层；第一窗层，其形成在该四元发光层的一侧的主表面侧；第二窗层，其形成在所述四元发光层的另一侧的主表面侧，其特征在于，所述四元发光层的侧面比所述第一窗层和所述第二窗层的侧面更向所述发光元件的内侧凹陷。由此，可减少被破坏而变成不亮的不良情况，并可抑制光辐射功率输出和Vf的变动的高亮度发光元件及其制造成为可能。
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公开(公告)号：CN106102449A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014018.X
申请日：2015-03-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: A01G7/00
CPC classification number: A01G7/045 , Y02P60/149
Abstract: 本发明是一种植物育成用照明装置，包含红光LED，发光波长为在600～680nm间；以及远红光LED或红外光LED，发光波长为在700～900nm间。该红光LED所发出红光与远红光LED或红外光LED所发出远红光及红外光系为能以脉冲状交互地照射。借此提供一种促进植物光合作用，植物生长良好的植物育成用照明装置及植物育成方法。
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公开(公告)号：CN106067494A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610130003.6
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种磊晶晶圆，能改善在发光波长为670nm以上且690nm以下的范围，自AlGaInp系材料所构成的发光部的发光效率。本发明的磊晶晶圆包含发光层，是由以化学式(AlxGa1‑x)yIn1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层所积层而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，该活性层为阱层与障壁层交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≤x≤0.45，0＜y＜1。
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公开(公告)号：CN118541876A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280083505.1
申请日：2022-10-21
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 国立研究开发法人情报通信研究机构 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01Q23/00 , C01B32/184 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01P11/00 , H01Q1/38
Abstract: 提供一种适合用于从数10GHz至100GHz以上的信号频带的天线模块。所述天线模块包括：其中至少最上表面为碳化硅的单晶的基板；设置为与基板的最上面接触的单晶石墨烯层；和设置在基板上的氮化镓层。该天线模块的特征在于，通过将石墨烯层中未被氮化镓层覆盖的区域图案化而形成的天线元件部、在氮化镓层上形成的有源元件部、和连接天线元件部和有源元件部的连接部一体地形成。
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公开(公告)号：CN114365266A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080060319.7
申请日：2020-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/48 , C09J11/06 , C09J183/07
Abstract: 根据微小结构体的转移方法，其至少包含：(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，由于能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此能够在无工序数的增加的情况下有效率地进行微小结构体的转移。
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