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公开(公告)号：CN118043942A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280065905.X
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，其中，所述接合型晶片的剥离方法包括将激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。由此，提供一种分离方法，所述分离方法在作为接合型晶片的、具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合这一利用固化型接合材而牢固地接合的晶片的分离中，元件结构部的残存率高。
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公开(公告)号：CN116249803A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180066639.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5
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公开(公告)号：CN219591348U
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202222549967.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L33/00 , H01L21/78 , H01L21/428
Abstract: 本实用新型包括一种剥离系统及制造系统。接合型晶片的剥离系统从接合型晶片剥离支撑体。接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合，接合型晶片的剥离系统具有机构，所述机构将从激光振荡器振荡产生的激光照射至接合型晶片，由此来使固化型接合材和/或与固化型接合材接触的元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使固化型接合材和/或元件结构部的表面分解，从而使元件结构部与支撑体分离。本实用新型的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。
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公开(公告)号：CN120019736A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071744.X
申请日：2023-08-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H10H20/01 , H01L21/02 , H01L21/304 , H10H20/813 , B23K26/36
Abstract: 本发明是一种接合型发光元件晶圆的制造方法，其是制造去除了不良部分的接合型发光元件晶圆的方法，该制造方法的特征在于，具有以下工序：利用吸收LLO转印用激光的粘合剂将作为微型LED的发光元件结构物与对于所述LLO转印用激光呈透明的被接合基板进行接合，得到接合晶圆的工序；对所述接合晶圆的不良部分进行光学调查，制作去除用地图数据的工序；及，根据所述去除用地图数据，对所述接合晶圆的不良部分入射去除用激光，使发光元件结构物中的包含在所述不良部分中的部分升华，由此去除所述发光元件结构物中的包含在所述不良部分中的部分，得到接合型发光元件晶圆的工序。由此，提供一种接合型发光元件晶圆的制造方法，其能够选择性地将隔着粘合剂耦接于被接合晶圆上的作为微型LED的发光元件结构物的不良部分去除，制造接合型发光元件晶圆。
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公开(公告)号：CN119908184A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380066636.3
申请日：2023-07-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种微型LED特性评价用晶圆，其特征在于，具有：GaAs基板；所述GaAs基板上的一边为100μm以下的微型LED；与所述微型LED邻接的焊垫台部；所述微型LED和所述焊垫台部上的上部电极焊垫；及所述微型LED附近的所述GaAs基板上的下部电极焊垫，其中，所述微型LED与所述焊垫台部经由绝缘部连结。由此，提供一种微型LED特性评价用晶圆，其能够在保持外延片状态的情形下形成微型LED尺寸的组件来评价通电特性，且能够在环境试验下不会断线的情形下进行瞬时特性评价。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119586354A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380049901.7
申请日：2023-06-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H10H20/819 , H01L21/02 , H10H20/82 , H10H20/01
Abstract: 本发明是一种接合型发光元件晶圆，其是具有包含活性层的外延层的发光元件用外延片与透明基板隔着粘合层进行接合的接合型发光元件晶圆，所述透明基板为可见光透射性且为紫外光透射性，所述粘合层为可见光透射性且为紫外光不透射性，其中，内置于所述外延层中的刺状夹杂物从该外延层突出的高度为所述粘合层的厚度以下。由此，提供一种接合型发光元件晶圆，其是将存在刺状夹杂物的外延片隔着粘合层与透明基板接合而成，所述粘合层为可见光透射性且为紫外光不透射性，所述透明基板为可见光透射性且为紫外光透射性，其中，因刺状夹杂物而产生的不良部分的范围较狭窄。
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公开(公告)号：CN109643744B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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公开(公告)号：CN107735870B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201680037656.8
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
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公开(公告)号：CN110534625A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910880386.2
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
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公开(公告)号：CN109643744A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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