GaN层叠基板的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112262456B

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN201980038692.X

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明为GaN层叠基板的制造方法,其具有:进行偏离角度0.5~5度的C面蓝宝石基板(11)的800~1000℃下的高温氮化处理以对所述C面蓝宝石基板进行表面处理的工序;在所述表面处理过的C面蓝宝石基板(11)的表面上使GaN外延生长以制作表面包含N极性面的GaN膜负载体的工序;对所述GaN膜(13)进行离子注入以形成离子注入区域(13离子)的工序;将所述经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支承基板(12)贴合并接合的工序;和在所述GaN膜(13)中的离子注入区域(13离子)使其剥离以将GaN薄膜(13a)在支承基板(12)上转印、得到在支承基板(12)上具有表面包含Ga极性面的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)的工序,通过一次的转印工艺就得到以Ga面为表面的结晶性良好的GaN层叠基板。

    GaN层叠基板的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112262456A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201980038692.X

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明为GaN层叠基板的制造方法,其具有:进行偏离角度0.5~5度的C面蓝宝石基板(11)的800~1000℃下的高温氮化处理以对所述C面蓝宝石基板进行表面处理的工序;在所述表面处理过的C面蓝宝石基板(11)的表面上使GaN外延生长以制作表面包含N极性面的GaN膜负载体的工序;对所述GaN膜(13)进行离子注入以形成离子注入区域(13离子)的工序;将所述经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支承基板(12)贴合并接合的工序;和在所述GaN膜(13)中的离子注入区域(13离子)使其剥离以将GaN薄膜(13a)在支承基板(12)上转印、得到在支承基板(12)上具有表面包含Ga极性面的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)的工序,通过一次的转印工艺就得到以Ga面为表面的结晶性良好的GaN层叠基板。

    制造太阳能电池组件的方法

    公开(公告)号:CN103715297B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201310460143.6

    申请日:2013-09-30

    Abstract: 制造太阳能电池组件的方法,包括在真空中压制被提供在太阳能电池串的太阳光接收表面上的第一聚硅氧烷凝胶片材和被提供在所述太阳能电池串的对面侧太阳光非接收表面上的第二聚硅氧烷凝胶片材,以用所述第一和第二聚硅氧烷凝胶片材封装所述太阳能电池串;将所述第一聚硅氧烷凝胶片材的太阳光接收表面侧布置在透明光接收面板的一个表面上并且以相框样形状沿所述第一聚硅氧烷凝胶片材的外周部分布置丁基橡胶;和将所述光接收面板和所述光非接收面板或背板覆盖在彼此之上,使聚硅氧烷凝胶片材封装的太阳能电池串在内部,并且在100‑150℃在真空中压制它们,以通过丁基橡胶将所述光接收表面面板和所述光非接收表面面板或背板彼此压力接合。

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