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公开(公告)号:CN106068547B
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201580011736.1
申请日:2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法,该外延晶圆在硅系基板上具有外延层,该外延晶圆的制造方法的特征在于,在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后,使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此,提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法,该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号:CN111633850A
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN202010120773.9
申请日:2020-02-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于,所述工件是中心轴向为 方向或 方向的单晶铸块,并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为 方向的单晶铸块,以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断:将用线切断中心轴向为 方向的单晶铸块时的切断方向从 方向偏移的角度设为θ(°)时,所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中,从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向,从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向,设为-30°≦θ≦+30°;另外,中心轴向为 方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。
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公开(公告)号:CN113272101A
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN202080008473.X
申请日:2020-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种工件的切断方法,其通过线锯进行,导线器在外表面具有沿着旋转方向以预定间距形成的多个沟,未使用的所述导线器中的所述沟的横截面形状至少具有:沟上部,位于导线器外表面侧且相对的沟壁具有第1开口角度(θ1);沟下部,位于该沟上部的下方且相对的沟壁具有第2开口角度(θ2);以及沟底部,位于所述沟的下端,所述第1开口角度(θ1)与所述第2开口角度(θ2)满足θ1>θ2的关系,使用满足以下关系的所述未使用的金属线与所述未使用的导线器:所述未使用的导线器的所述沟下部的沟宽度的最大值(W0,max)为未使用的金属线的线径(φ0)以上,所述未使用的导线器的所述沟下部的沟宽度的最小值(W0,min)小于所述未使用的金属线的线径(φ0),将所述未使用的金属线设置为与所述未使用的导线器的所述沟下部的所述沟壁接触,且不与所述沟底部接触的状态,在所述金属线不与所述沟底部接触的状态下,开始所述工件的切断。由此,提供能够抑制生产能力的降低并且能够获得从导线器的使用初期起便良好且稳定的Warp值的工件的切断方法。
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公开(公告)号:CN106068547A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201580011736.1
申请日:2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法,该外延晶圆在硅系基板上具有外延层,该外延晶圆的制造方法的特征在于,在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后,使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此,提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法,该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号:CN111633850B
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202010120773.9
申请日:2020-02-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于,所述工件是中心轴向为 方向或 方向的单晶铸块,并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为 方向的单晶铸块,以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断:将用线切断中心轴向为 方向的单晶铸块时的切断方向从 方向偏移的角度设为θ(°)时,所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为‑30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中,从(1‑10)方向、(‑101)方向及(01‑1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向,从(0‑11)方向、(‑110)方向及(10‑1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向,设为‑30°≦θ≦+30°;另外,中心轴向为 方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。
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公开(公告)号:CN113272101B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202080008473.X
申请日:2020-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种工件的切断方法,其通过线锯进行,导线器在外表面具有沿着旋转方向以预定间距形成的多个沟,未使用的所述导线器中的所述沟的横截面形状至少具有:沟上部,位于导线器外表面侧且相对的沟壁具有第1开口角度(θ1);沟下部,位于该沟上部的下方且相对的沟壁具有第2开口角度(θ2);以及沟底部,位于所述沟的下端,所述第1开口角度(θ1)与所述第2开口角度(θ2)满足θ1>θ2的关系,使用满足以下关系的所述未使用的金属线与所述未使用的导线器:所述未使用的导线器的所述沟下部的沟宽度的最大值(W0,max)为未使用的金属线的线径(φ0)以上,所述未使用的导线器的所述沟下部的沟宽度的最小值(W0,min)小于所述未使用的金属线的线径(φ0),将所述未使用的金属线设置为与所述未使用的导线器的所述沟下部的所述沟壁接触,且不与所述沟底部接触的状态,在所述金属线不与所述沟底部接触的状态下,开始所述工件的切断。由此,提供能够抑制生产能力的降低并且能够获得从导线器的使用初期起便良好且稳定的Warp值的工件的切断方法。
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公开(公告)号:CN109015115B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201810514993.2
申请日:2018-05-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。该研磨方法以支承板而支承被研磨物,将支承被研磨物的支承板予以装备至研磨头,研磨头配置于研磨装置,通过研磨头将被支承板所支承的被研磨物以指定的压力而推压至贴附于研磨台的研磨布,并使相对运动而借以研磨被研磨物的表面,其中在以支承板而支承该被研磨物之前,先测量支承板的支承被研磨物的支承面的形状,依测量完成的支承面的形状,调整由研磨头对于支承板的推压分布,再研磨被研磨物。
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公开(公告)号:CN106068546B
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201580011705.6
申请日:2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法,其特征在于,具有以下步骤:制作步骤,其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆;观察步骤,其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部;以及,去除步骤,其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此,提供一种半导体外延晶圆的制造方法,该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
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公开(公告)号:CN109015115A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810514993.2
申请日:2018-05-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。该研磨方法以支承板而支承被研磨物,将支承被研磨物的支承板予以装备至研磨头,研磨头配置于研磨装置,通过研磨头将被支承板所支承的被研磨物以指定的压力而推压至贴附于研磨台的研磨布,并使相对运动而借以研磨被研磨物的表面,其中在以支承板而支承该被研磨物之前,先测量支承板的支承被研磨物的支承面的形状,依测量完成的支承面的形状,调整由研磨头对于支承板的推压分布,再研磨被研磨物。
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公开(公告)号:CN106068546A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201580011705.6
申请日:2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
CPC classification number: C30B33/00 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B25/00 , C30B25/183 , C30B29/406 , C30B33/10 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/7806 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/32
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法,其特征在于,具有以下步骤:制作步骤,其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆;观察步骤,其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部;以及,去除步骤,其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此,提供一种半导体外延晶圆的制造方法,该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
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