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公开(公告)号:CN115200720B
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202210633543.1
申请日:2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域,提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置,该方法包括:基于参考图像和被测件温度变化,获取参考图像的第一区域和第二区域,计算两个区域的清晰度,调节三轴纳米位移台;每次调节三轴纳米位移台后,获取当前测量图像,计算两个区域的清晰度;当前测量图像仍包含上述两个区域;若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件,并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件,确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性,为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号:CN113624358B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN202110803448.7
申请日:2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括:获取被测件位于待补偿位置时的采集图像,及被测件位于参考位置时的参考图像;根据参考图像计算得到第一傅里叶变换,根据采集图像计算得到第二傅里叶变换;根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换,确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径;根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数,计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量,以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量,进而提高位移补偿的工作效率。
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公开(公告)号:CN112526425B
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202011133324.4
申请日:2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种基于热阻标准件的热阻测量仪器校准方法及装置,该方法包括:控制热阻标准件处于预设温度下,向热阻标准件输入预设测试电流,并测量热阻标准件的第一结电压,根据预设温度和第一结电压确定热阻标准件的校温曲线;向热阻标准件输入预设工作电流,待热阻标准件的结温稳定后,测量热阻标准件的第二结电压;基于校温曲线以及第二结电压,确定热阻标准件在预设工作电流下的结温,并根据结温确定热阻标准件的标准热阻值;根据标准热阻值对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准,能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号:CN112097949B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202010797316.3
申请日:2020-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域,提供了一种光热反射测温方法及装置,所述方法包括:控制被测件处于预设初始温度,采集被测件此时的反射率,得到第一反射率;控制被测件的温度升高ΔT0,在被测件温度改变的同时向被测件通入电流,温度稳定后采集通电被测件的反射率,得到第二反射率;控制通电被测件的温度降低ΔT0,温度稳定后采集通电被测件的反射率,得到第三反射率;基于第一反射率、第二反射率和第三反射率确定被测件的温度变化量。本发明能够一次性测量被测件的温度变化量,节省电流周期性变化时等待被测件温度稳定所需的时间,提高测量效率。
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公开(公告)号:CN112097950B
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202010849570.3
申请日:2020-08-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明提供了一种基于光热反射的温度测量方法、装置及终端设备,该方法包括:获取第一温度的待测件在第一波长下的第一探测值、以及在第二波长下的第二探测值,确定第一探测比;获取第二温度的待测件在第一波长下的第三探测值、以及在第二波长下的第四探测值,确定第二探测比;基于第一探测比和第二探测比确定第一求解系数,基于第一求解系数确定第二求解系数;获取未知当前温度的待测件在第一波长下的第五探测值、以及在第二波长下的第六探测值,确定第三探测比,基于第一求解系数、第二求解系数以及第三探测比确定待测件的当前温度。本发明提供的基于光热反射的温度测量方法、装置及终端设备能够提高温度测量精度。
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公开(公告)号:CN114549599A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202210038925.X
申请日:2022-01-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆快速预对准方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括:对目标晶圆的灰度图像进行边缘检测,获得目标晶圆的轮廓二值图像;降低轮廓二值图像的分辨率,获得对应的低分辨率图像;对低分辨率图像中的轮廓进行直线检测,获得低分辨率图像中对应的平边端点粗坐标;基于平边端点粗坐标在轮廓二值图像中对应的预设邻域图像进行直线检测,获得轮廓二值图像中对应的平边端点精坐标;根据平边端点精坐标对目标晶圆的轮廓进行圆拟合,获得轮廓对应的圆心坐标和平边旋转角,以基于圆心坐标和平边旋转角对目标晶圆进行对准。本发明能够有效提高直线检测获得平边端点坐标的速度,进而缩短晶圆预对准时间,提高晶圆预对准的实时性和效率。
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公开(公告)号:CN113858797A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111102035.2
申请日:2021-09-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种故障点确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括:获取目标物体上第一实际图形与对应的理想图形在第一方向的第一偏移量和在与第一方向垂直的第二方向的第二偏移量;第一实际图形为目标物体上关于目标物体的中心对称的至少两组实际图形;根据各个第一偏移量和第二偏移量,确定目标物体在第一方向的第一实际偏移量和第二方向的第二实际偏移量;根据第一实际偏移量和第二实际偏移量,确定目标物体的偏移角度。本发明能够根据目标物体上的少量实际图形和理想图形,确定目标物体的第一实际偏移量、第二实际偏移量和偏移角度,进而解决目标物体的偏移量和偏移角度难以确定的问题,从而方便目标物体对应的目标设备的故障点确定。
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公开(公告)号:CN112097950A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010849570.3
申请日:2020-08-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明提供了一种基于光热反射的温度测量方法、装置及终端设备,该方法包括:获取第一温度的待测件在第一波长下的第一探测值、以及在第二波长下的第二探测值,确定第一探测比;获取第二温度的待测件在第一波长下的第三探测值、以及在第二波长下的第四探测值,确定第二探测比;基于第一探测比和第二探测比确定第一求解系数,基于第一求解系数确定第二求解系数;获取未知当前温度的待测件在第一波长下的第五探测值、以及在第二波长下的第六探测值,确定第三探测比,基于第一求解系数、第二求解系数以及第三探测比确定待测件的当前温度。本发明提供的基于光热反射的温度测量方法、装置及终端设备能够提高温度测量精度。
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公开(公告)号:CN112097949A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010797316.3
申请日:2020-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域,提供了一种光热反射测温方法及装置,所述方法包括:控制被测件处于预设初始温度,采集被测件此时的反射率,得到第一反射率;控制被测件的温度升高ΔT0,在被测件温度改变的同时向被测件通入电流,温度稳定后采集通电被测件的反射率,得到第二反射率;控制通电被测件的温度降低ΔT0,温度稳定后采集通电被测件的反射率,得到第三反射率;基于第一反射率、第二反射率和第三反射率确定被测件的温度变化量。本发明能够一次性测量被测件的温度变化量,节省电流周期性变化时等待被测件温度稳定所需的时间,提高测量效率。
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公开(公告)号:CN109596963A
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201811548650.4
申请日:2018-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于检测结温的脉冲调制装置,用于检测半导体器件的结温,脉冲调制装置分别与CCD相机和电流发生装置相连,电流发生装置与半导体器件相连,CCD相机与监测控制装置相连;脉冲调制装置发出第一脉冲信号传输至CCD相机,脉冲调制装置发出第二脉冲信号传输至电流发生装置,脉冲调制装置检测半导体的电流,电流发生装置输出电流至半导体器件,光源发射装置发出入射光至半导体器件,CCD相机采集半导体器件的反射光生成对应的电信号,检测控制装置对电信号进行处理并计算得到半导体器件的结温。本发明提高了测结温过程的信噪比,保证了测量结温的准确性,只需要CCD相机采集两次反射光信号即可计算出结温。
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