功率用半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109155305B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201680085939.X

    申请日:2016-05-26

    Abstract: 在功率用半导体装置中,将半导体元件(3)的保护膜(33)的厚度尺寸设为小于上侧电极(34)的厚度尺寸,因此,不会因利用金属烧结体(2)进行接合时来自上方的加压而导致按压保护膜(33),将骑上保护膜(33)的倾斜面(33a)的上侧电极(34)剥离的力不起作用,因此,上侧电极(34)不会产生开裂,保持了半导体元件(3)的稳固性。此外,将利用焊料(6)与半导体元件(3)的上侧电极(34)接合的引线(7)设为对线膨胀系数优化后的铜与殷瓦合金的覆层材料,由此可实现优于现有的引线接合中的铝布线的耐久性。

    半导体装置的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114981937A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202080093359.1

    申请日:2020-08-13

    Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法,能够抑制在对接合材料接合半导体元件时该半导体元件破损。半导体装置的制造方法具备准备基板(1)的工序、供给的工序以及接合的工序。在供给的工序中,向基板(1)的表面(1a)上供给烧结性金属接合材料(22)。在接合的工序中,经由烧结性金属接合材料(22)将半导体元件接合到基板(1)。在供给的工序中,在基板(1)的表面(1a)上配置具有开口部(7)的金属掩模(6),使用涂刷器(9)对在开口部(7)的内部露出的基板(1)的表面部分(1aa)供给烧结性金属接合材料(22)。在供给的工序中,在俯视时,被供给烧结性金属接合材料(22)的基板(1)的表面部分(1aa)和在金属掩模(6)中涂刷器(9)接触的接触区域(6aa)是隔开间隔地配置的。

    端子部件、集合体、半导体装置以及它们的制造方法

    公开(公告)号:CN115769370A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202180044287.6

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 提高半导体装置的制造工序中的作业性。端子部件(5)与半导体元件的电极接合,其具备导体部(50)、第1环状突起部(53)和环状凹部(58)。导体部(50)具有第1主面(50a)、以及位于与第1主面(50a)相反的一侧的第2主面(50b)。第1环状突起部(53)形成于导体部(50)的第1主面(50a)。环状凹部(58)形成于第2主面,且配置于与第1环状突起部(53)重叠的位置。通过将接合部件(4)按压于端子部件(5)的第1主面(50a),能够形成第1环状突起部(53)埋入于接合部件(4)的状态。

    功率用半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109155305A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201680085939.X

    申请日:2016-05-26

    Abstract: 在功率用半导体装置中,将半导体元件(3)的保护膜(33)的厚度尺寸设为小于上侧电极(34)的厚度尺寸,因此,不会因利用金属烧结体(2)进行接合时来自上方的加压而导致按压保护膜(33),将骑上保护膜(33)的倾斜面(33a)的上侧电极(34)剥离的力不起作用,因此,上侧电极(34)不会产生开裂,保持了半导体元件(3)的稳固性。此外,将利用焊料(6)与半导体元件(3)的上侧电极(34)接合的引线(7)设为对线膨胀系数优化后的铜与殷瓦合金的覆层材料,由此可实现优于现有的引线接合中的铝布线的耐久性。

    电力用半导体装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107851639A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680046354.7

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 提供一种电力用半导体装置,该电力用半导体装置能够使电力用半导体元件的电极与布线的连接可靠性比以往提高。具备半导体元件(5)、具有接合有半导体元件的电极层(1)的绝缘基板(10)、具有与半导体元件的上表面电极焊接并向上表面方向折弯的外部连接用端部(7d)的外部布线(7)、以及固定于绝缘基板的电极层的框体部件(8),框体部件具有与外部连接用端部嵌合的嵌合部(8b),外部布线具有向半导体元件侧突出的至少两个突起部(7b)。

    DC/DC功率转换装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102959843B

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201080067751.5

    申请日:2010-11-04

    CPC classification number: H02M3/158

    Abstract: 本发明的DC/DC功率转换装置(10)具有2个以上的开关单元(SU1)(SU2),各开关单元分别由2个半导体开关元件(Sa,Sb)构成,各个开关单元中的各个半导体开关元件(S1a,S1b,S2a,S2b)全部串联连接,还具有进行充放电的用于能量转移的电容(C1)、以及电感(L),该DC/DC功率转换装置还包括控制部,该控制部根据功率转换装置的输入输出电压之比V2/V0以及功率传输方向,使半导体开关元件按照四种开关模式执行动作,并在低负载时在开关动作中执行电感电流为零的电流不连续动作。

    电力用半导体装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107851639B

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201680046354.7

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 提供一种电力用半导体装置,该电力用半导体装置能够使电力用半导体元件的电极与布线的连接可靠性比以往提高。具备半导体元件(5)、具有接合有半导体元件的电极层(1)的绝缘基板(10)、具有与半导体元件的上表面电极焊接并向上表面方向折弯的外部连接用端部(7d)的外部布线(7)、以及固定于绝缘基板的电极层的框体部件(8),框体部件具有与外部连接用端部嵌合的嵌合部(8b),外部布线具有向半导体元件侧突出的至少两个突起部(7b)。

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