公开(公告)号：CN111316408B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201880068708.7

申请日：2018-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮田康平 ,  山田隆行 ,  村松佑哉 ,  别芝范之 ,  杉祐太朗 ,  春名裕明 ,  福优 ,  藤田充纪

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。

公开(公告)号：CN111316408A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880068708.7

申请日：2018-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮田康平 ,  山田隆行 ,  村松佑哉 ,  别芝范之 ,  杉祐太朗 ,  春名裕明 ,  福优 ,  藤田充纪

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。

公开(公告)号：CN114981937A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080093359.1

申请日：2020-08-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮田康平 ,  山田隆行 ,  春名裕明 ,  三井贵夫

IPC: H01L21/52 ,  H05K3/34

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，能够抑制在对接合材料接合半导体元件时该半导体元件破损。半导体装置的制造方法具备准备基板(1)的工序、供给的工序以及接合的工序。在供给的工序中，向基板(1)的表面(1a)上供给烧结性金属接合材料(22)。在接合的工序中，经由烧结性金属接合材料(22)将半导体元件接合到基板(1)。在供给的工序中，在基板(1)的表面(1a)上配置具有开口部(7)的金属掩模(6)，使用涂刷器(9)对在开口部(7)的内部露出的基板(1)的表面部分(1aa)供给烧结性金属接合材料(22)。在供给的工序中，在俯视时，被供给烧结性金属接合材料(22)的基板(1)的表面部分(1aa)和在金属掩模(6)中涂刷器(9)接触的接触区域(6aa)是隔开间隔地配置的。