公开(公告)号：CN111316408B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201880068708.7

申请日：2018-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮田康平 ,  山田隆行 ,  村松佑哉 ,  别芝范之 ,  杉祐太朗 ,  春名裕明 ,  福优 ,  藤田充纪

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。

公开(公告)号：CN111316408A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880068708.7

申请日：2018-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮田康平 ,  山田隆行 ,  村松佑哉 ,  别芝范之 ,  杉祐太朗 ,  春名裕明 ,  福优 ,  藤田充纪

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。