-
公开(公告)号：CN111316408B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880068708.7
申请日：2018-10-25
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。
-
公开(公告)号：CN107851639B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201680046354.7
申请日：2016-09-29
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 提供一种电力用半导体装置，该电力用半导体装置能够使电力用半导体元件的电极与布线的连接可靠性比以往提高。具备半导体元件(5)、具有接合有半导体元件的电极层(1)的绝缘基板(10)、具有与半导体元件的上表面电极焊接并向上表面方向折弯的外部连接用端部(7d)的外部布线(7)、以及固定于绝缘基板的电极层的框体部件(8)，框体部件具有与外部连接用端部嵌合的嵌合部(8b)，外部布线具有向半导体元件侧突出的至少两个突起部(7b)。
-
公开(公告)号：CN108475647A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780006451.8
申请日：2017-01-06
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 电力用半导体装置具有基板、和使用烧结性金属接合材料接合到基板上的半导体元件。半导体元件具有母材、设置于母材的基板侧的第1面的第1导电层、以及设置于母材的与第1面相向的第2面的第2导电层。第1导电层的厚度是第2导电层的厚度的0.5倍以上2.0倍以下。
-
-
公开(公告)号：CN109155305A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201680085939.X
申请日：2016-05-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/3205 , H01L21/52 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L25/18
摘要： 在功率用半导体装置中，将半导体元件(3)的保护膜(33)的厚度尺寸设为小于上侧电极(34)的厚度尺寸，因此，不会因利用金属烧结体(2)进行接合时来自上方的加压而导致按压保护膜(33)，将骑上保护膜(33)的倾斜面(33a)的上侧电极(34)剥离的力不起作用，因此，上侧电极(34)不会产生开裂，保持了半导体元件(3)的稳固性。此外，将利用焊料(6)与半导体元件(3)的上侧电极(34)接合的引线(7)设为对线膨胀系数优化后的铜与殷瓦合金的覆层材料，由此可实现优于现有的引线接合中的铝布线的耐久性。
-
公开(公告)号：CN107851639A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046354.7
申请日：2016-09-29
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 提供一种电力用半导体装置，该电力用半导体装置能够使电力用半导体元件的电极与布线的连接可靠性比以往提高。具备半导体元件(5)、具有接合有半导体元件的电极层(1)的绝缘基板(10)、具有与半导体元件的上表面电极焊接并向上表面方向折弯的外部连接用端部(7d)的外部布线(7)、以及固定于绝缘基板的电极层的框体部件(8)，框体部件具有与外部连接用端部嵌合的嵌合部(8b)，外部布线具有向半导体元件侧突出的至少两个突起部(7b)。
-
公开(公告)号：CN118830068A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025667.4
申请日：2023-03-01
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 提供在抑制了半导体元件的破损的同时，在烧结性金属接合材料分别与半导体元件和基板接合的整个接合区域中接合强度较高的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置(10)具备：基板(1)，其包含第1面(1A)；以及至少一个半导体元件(2)，其通过烧结性金属接合材料(3)接合在第1面(1A)上。在第1面(1A)，在俯视观察时比至少一个半导体元件(2)靠外侧的位置形成有至少一个阶梯部(11)。至少一个阶梯部(11)沿着至少一个半导体元件(2)的外形线的至少一部分延伸，并且在俯视观察时被配置在比基板(1)的外缘靠内侧的位置。
-
公开(公告)号：CN109155305B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201680085939.X
申请日：2016-05-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/3205 , H01L21/52 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L25/18
摘要： 在功率用半导体装置中，将半导体元件(3)的保护膜(33)的厚度尺寸设为小于上侧电极(34)的厚度尺寸，因此，不会因利用金属烧结体(2)进行接合时来自上方的加压而导致按压保护膜(33)，将骑上保护膜(33)的倾斜面(33a)的上侧电极(34)剥离的力不起作用，因此，上侧电极(34)不会产生开裂，保持了半导体元件(3)的稳固性。此外，将利用焊料(6)与半导体元件(3)的上侧电极(34)接合的引线(7)设为对线膨胀系数优化后的铜与殷瓦合金的覆层材料，由此可实现优于现有的引线接合中的铝布线的耐久性。
-
公开(公告)号：CN111316408A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880068708.7
申请日：2018-10-25
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。
-
公开(公告)号：CN105408997A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041510.1
申请日：2014-07-31
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/473
CPC分类号： H01L23/473 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L2224/32225
摘要： 本发明的目的在于，能够缓和在矫正在将陶瓷电路基板30经由焊料等接合层5接合到散热器10a时发生的翘曲时对接合层5施加的变形集中，得到可靠性保证期间变长的功率半导体模块。在本发明的半导体模块100中，散热器10a具有：凸状部11，凸平面15具有比与接合层5的接合面积小的面积；第1阶梯部12，设置于凸状部11的端部，对应的部分的散热器10a的厚度比与凸状部11对应的部分的散热器10a的厚度薄；以及第2阶梯部13，设置于第1阶梯部12的端部，对应的部分的散热器10a的厚度比与第1阶梯部12对应的部分更薄，接合层在散热器的凸状部11以及第1阶梯部12处接合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.022 秒)
