-
公开(公告)号：CN113875001A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201980096759.5
申请日：2019-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到可靠性高的半导体模块以及使用该半导体模块的可靠性高的电力变换装置。半导体模块(100)具备散热部件(7)、半导体装置(20)以及热传导性绝缘树脂片材(6)。热传导性绝缘树脂片材(6)连接散热部件(7)和半导体装置(20)。半导体装置(20)包括半导体元件(1)和金属布线部件(2a)。金属布线部件(2a)与半导体元件(1)电连接。金属布线部件(2a)包括向半导体装置(20)的外侧突出的端子部(2aa)。在半导体装置(20)的表面部分(20a)中，在与连接有热传导性绝缘树脂片材(6)的一部分区域(20aa)相比更外侧形成凹部(8)。凹部(8)位于与端子部(2aa)相比更靠散热部件(7)侧的区域。
-
公开(公告)号：CN108475647B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201780006451.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置具有基板、和使用烧结性金属接合材料接合到基板上的半导体元件。半导体元件具有母材、设置于母材的基板侧的第1面的第1导电层、以及设置于母材的与第1面相向的第2面的第2导电层。第1导电层的厚度是第2导电层的厚度的0.5倍以上2.0倍以下。
-
公开(公告)号：CN110168721A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082739.3
申请日：2017-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：陶瓷基板(21)，在两面具有导体层(23、24)；半导体元件(11)，被接合到陶瓷基板(21)的上表面导体层(23)上；框部件(61)，在上表面导体层(23)上以包围半导体元件(11)的侧面的方式配置；以及电极(41)，通过第2粘结层(32)被接合到半导体元件(11)的上部，并且在侧面形成嵌合部(42)。在框部件(61)的内壁形成：嵌合部(62)，嵌合到电极(41)的嵌合部(42)；以及4个定位部(63)，从该框部件(61)的内壁延伸至电极(41)的侧面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110168721B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201780082739.3
申请日：2017-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：陶瓷基板(21)，在两面具有导体层(23、24)；半导体元件(11)，被接合到陶瓷基板(21)的上表面导体层(23)上；框部件(61)，在上表面导体层(23)上以包围半导体元件(11)的侧面的方式配置；以及电极(41)，通过第2粘结层(32)被接合到半导体元件(11)的上部，并且在侧面形成嵌合部(42)。在框部件(61)的内壁形成：嵌合部(62)，嵌合到电极(41)的嵌合部(42)；以及4个定位部(63)，从该框部件(61)的内壁延伸至电极(41)的侧面。
-
公开(公告)号：CN111316408A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880068708.7
申请日：2018-10-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。
-
公开(公告)号：CN113875001B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980096759.5
申请日：2019-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到可靠性高的半导体模块以及使用该半导体模块的可靠性高的电力变换装置。半导体模块(100)具备散热部件(7)、半导体装置(20)以及热传导性绝缘树脂片材(6)。热传导性绝缘树脂片材(6)连接散热部件(7)和半导体装置(20)。半导体装置(20)包括半导体元件(1)和金属布线部件(2a)。金属布线部件(2a)与半导体元件(1)电连接。金属布线部件(2a)包括向半导体装置(20)的外侧突出的端子部(2aa)。在半导体装置(20)的表面部分(20a)中，在与连接有热传导性绝缘树脂片材(6)的一部分区域(20aa)相比更外侧形成凹部(8)。凹部(8)位于与端子部(2aa)相比更靠散热部件(7)侧的区域。
-
公开(公告)号：CN111316408B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880068708.7
申请日：2018-10-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。
-
公开(公告)号：CN108475647A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780006451.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置具有基板、和使用烧结性金属接合材料接合到基板上的半导体元件。半导体元件具有母材、设置于母材的基板侧的第1面的第1导电层、以及设置于母材的与第1面相向的第2面的第2导电层。第1导电层的厚度是第2导电层的厚度的0.5倍以上2.0倍以下。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.019 seconds)
