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公开(公告)号：CN117479540A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310702443.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子系统和半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其包括存储器单元区域和连接区域。存储器堆叠件包括在存储器单元区域和连接区域中在与衬底的上表面平行的水平方向上延伸的多条字线。多条字线在竖直方向上彼此重叠。支撑件位于连接区域中并且位于存储器堆叠件的一侧。支撑件包括多个台阶。多个焊盘部位于支撑件的顶表面上。多个接触插塞在竖直方向上穿过多条字线中的至少一些字线。多个接触插塞与多个焊盘部直接接触以与其电连接。
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公开(公告)号：CN117377318A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310745406.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种竖直半导体器件，包括设置在第一衬底上的下电路图案。接合层设置在下电路图案上。布线设置在接合层上。单元堆叠结构设置在布线上。基底图案设置在单元堆叠结构上。上绝缘层设置在基底图案上。单元接触插塞穿过单元堆叠结构并延伸到上绝缘层。贯通插塞设置在穿过基底图案的外侧以延伸到上绝缘层而形成的通孔内部。单元接触插塞和贯通插塞中的每一个包括阻挡金属图案和金属图案，并且阻挡金属图案沿单元接触孔和通孔的侧壁和底表面设置。
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公开(公告)号：CN117641934A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311055664.3
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了垂直非易失性存储器件和制造其的方法。非易失性存储器件包括基板，基板包括单元阵列区和延伸区。第一栅极结构层包括第一栅极层。接触分离层在延伸区上在第一栅极结构层上。在第一栅极结构层和接触分离层上的第二栅极结构层包括第二栅极层。第一金属接触在延伸区中在基板和接触分离层之间沿垂直方向延伸穿过第一栅极结构层。第二金属接触在延伸区中沿垂直方向延伸穿过第二栅极结构层。接触分离层在第一和第二金属接触之间，每个第二金属接触与第一金属接触中的相应一个在垂直方向上对齐。每个第一电极垫从第一金属接触中的相应一个的侧壁延伸。每个第二电极垫从第二金属接触中的相应一个的侧壁延伸。
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公开(公告)号：CN101819819A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010126221.5
申请日：2010-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3418 , G11C16/3427
Abstract: 提供了一种非易失性存储设备的编程方法，包括：将本地电压施加到第一未选择字线；在将本地电压施加到第一未选择字线后，将本地电压施加到第二未选择字线；并且在本地电压被施加到第二未选择字线后，将通过电压施加到第一未选择字线。这里还提供了相关的设备和系统。
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公开(公告)号：CN1969386A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580010346.9
申请日：2005-01-18
Applicant: 汉阳大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117641926A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310876091.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/20
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置包括彼此连接的第一基底结构和第二基底结构。第二基底结构包括具有第一面和第二面的板层。栅电极层设置在板层的第一面上。沟道结构延伸穿过栅电极层。字线切割结构延伸穿过栅电极层并且彼此间隔开。过孔结构设置在板层的第二面上。过孔连接结构设置在过孔结构的顶面上。每个过孔结构的底面的宽度大于每个过孔结构的顶面的宽度。每个过孔连接结构的底面的宽度小于每个过孔连接结构的顶面的宽度。
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公开(公告)号：CN111146289B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910763096.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。
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公开(公告)号：CN116705812A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310204040.7
申请日：2023-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；像素隔离区段，其穿透衬底并且将构成第一像素组、第二像素组和第三像素组的多个像素分离，第一像素组、第二像素组和第三像素组中的每一个包括按照n列m行排列的像素；遮光栅格，其在所述第一表面上，并且与像素隔离区段重叠；以及光调制器，其在所述第一表面上，并且在第一像素组、第二像素组和第三像素组中的每一个的中心上与像素隔离区段重叠。遮光栅格在第一方向上具有第一宽度。光调制器在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN111029365A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910959825.9
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
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公开(公告)号：CN110875342B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201910831497.4
申请日：2019-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。
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