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公开(公告)号：CN108091615A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711163518.7
申请日：2017-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/13101 , H01L2224/16225 , H01L2224/214 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L23/3107 , H01L25/18
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括第一基底；半导体芯片，设置在第一基底上；模制层，覆盖半导体芯片的侧面并且包括通孔；第二基底，设置在半导体芯片上；连接端子，设置在第一基底与第二基底之间并且设置在通孔中；以及底部填充树脂层，从半导体芯片与第二基底之间延伸到通孔中。
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公开(公告)号：CN112420628B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010599860.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，设置在封装基底上；至少一个第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上；散热构件，设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中，并且具有形成有至少一个沟槽的上表面；以及模制构件，覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面，并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。
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公开(公告)号：CN118693000A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311550400.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 提供一种具有增强的可靠性的半导体封装和制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括：封装衬底，包括具有中心区域和外围区域的主体层、主体层的顶表面上的第一保护层、以及外围区域中在第一保护层上的第二保护层；半导体芯片，在中心区域中以倒装芯片结构安装在第一保护层上；底部填充物，在第一保护层与半导体芯片之间的间隙中以及在连接端子之间的间隙中；中介层，在半导体芯片上；以及衬底间连接端子，在封装衬底的外围区域上并且将封装衬底电连接到中介层，其中，底部填充物具有延伸到第一保护层中的锚固结构。
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公开(公告)号：CN115810549A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211125524.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/67
Abstract: 一种制造半导体封装的方法，包括将初级半导体封装设置在台上，初级半导体封装包括附接有焊盘部分的衬底、设置在衬底上的中介层、以及设置在衬底和中介层之间的半导体芯片。接合工具设置在中介层上。接合工具包括第一区域和第一区域之外的第二区域。接合工具的第二区域对应于焊盘部分。中介层和衬底彼此接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111092059A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910976753.9
申请日：2019-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括位于其一个表面上的第一结合层；以及芯片结构，所述芯片结构堆叠在所述第一半导体芯片上，并且包括位于所述芯片结构的面对所述第一半导体芯片的表面上的第二结合层以及多个第二半导体芯片。所述多个第二半导体芯片分别包括芯片区域和位于所述芯片区域的外部的划片线区域，所述多个第二半导体芯片在所述芯片结构中通过所述划片线区域彼此连接。所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一结合绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。
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公开(公告)号：CN110797321A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910695471.1
申请日：2019-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一基板，设置在第一基板上的第二基板，设置在第一基板和第二基板之间的半导体芯片，在第一基板和第二基板之间延伸并与半导体芯片间隔开的焊料结构，以及设置在半导体芯片和第二基板之间的凸块。焊料结构将第一基板和第二基板电连接。
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公开(公告)号：CN109585390A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811089162.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金宣澈
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片在第一衬底上；第一模制层，所述第一模制层设置在所述第一衬底上，以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；焊料结构，所述焊料结构设置在所述第一衬底上；以及第二衬底，所述第二衬底设置在所述焊料结构上。引导容座形成在所述第一模制层的顶表面和所述第二衬底的底表面中的一个处，第一对准突起形成在所述第一模制层的顶表面和所述第二衬底的底表面中的另一个处，并且所述第一对准突起的至少一部分设置在所述引导容座中。
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公开(公告)号：CN109585390B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811089162.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金宣澈
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片在第一衬底上；第一模制层，所述第一模制层设置在所述第一衬底上，以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；焊料结构，所述焊料结构设置在所述第一衬底上；以及第二衬底，所述第二衬底设置在所述焊料结构上。引导容座形成在所述第一模制层的顶表面和所述第二衬底的底表面中的一个处，第一对准突起形成在所述第一模制层的顶表面和所述第二衬底的底表面中的另一个处，并且所述第一对准突起的至少一部分设置在所述引导容座中。
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公开(公告)号：CN110797321B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910695471.1
申请日：2019-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一基板，设置在第一基板上的第二基板，设置在第一基板和第二基板之间的半导体芯片，在第一基板和第二基板之间延伸并与半导体芯片间隔开的焊料结构，以及设置在半导体芯片和第二基板之间的凸块。焊料结构将第一基板和第二基板电连接。
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