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公开(公告)号：CN115810549A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211125524.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/67
Abstract: 一种制造半导体封装的方法，包括将初级半导体封装设置在台上，初级半导体封装包括附接有焊盘部分的衬底、设置在衬底上的中介层、以及设置在衬底和中介层之间的半导体芯片。接合工具设置在中介层上。接合工具包括第一区域和第一区域之外的第二区域。接合工具的第二区域对应于焊盘部分。中介层和衬底彼此接合。
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