公开(公告)号：CN117506048A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310705102.2

申请日：2023-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣子 ,  权洞煜 ,  李荣敏 ,  姜秉槿 ,  金公明 ,  文祭仁

IPC: B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  B23K1/012 ,  B23K101/36

Abstract: 提供了一种焊料回流设备和制造电子器件的方法。所述制造电子器件的方法，包括：提供包括多个安装区域的基板，在所述多个安装区域上将分别安装电子部件；形成穿透所述基板的多个蒸气通道孔；经由凸块将所述电子部件布置在所述基板上；加热第一传热流体以产生蒸气状态的第二传热流体；通过所述基板的所述多个蒸气通道孔供应所述蒸气状态的所述第二传热流体的至少一部分；以及使用所述蒸气状态的所述第二传热流体的所述至少一部分焊接凸块。

公开(公告)号：CN115831908A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211073382.1

申请日：2022-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金瑾雨 ,  申志源 ,  权洞煜 ,  明宇蓝 ,  禹光福

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了用于半导体封装件的安装基板和半导体封装件。所述安装基板包括：具有彼此相对的上表面和下表面的基板，所述基板包括多个绝缘层和分别位于所述多个绝缘层中的布线；第一基板焊盘和第二基板焊盘，在所述安装基板的芯片安装区域中位于所述上表面上；吸热焊盘，在所述安装基板的与所述芯片安装区域相邻的外围区域中位于所述上表面上；以及位于所述基板中的连接线，所述连接线被配置为将所述吸热焊盘和所述第二基板焊盘彼此导热地结合。

公开(公告)号：CN114068446A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110776784.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申志源 ,  权洞煜 ,  禹光福 ,  池珉昇

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件包括：彼此堆叠的第一子半导体装置、中间层和第二子半导体装置，以及覆盖第二子半导体装置的散热器。第一子半导体装置包括第一衬底和第一半导体芯片。中间层包括电介质层、与电介质层的底表面接触的导热层、与电介质层的顶表面接触的第一导热焊盘以及穿过电介质层以将导热层连接至第一导热焊盘的导热穿通件。导热层的底表面邻近于第一半导体芯片的顶表面并且连接至第一半导体芯片的顶表面。第二子半导体装置设置在电介质层上，而不与第一导热焊盘重叠。散热器还覆盖第一导热焊盘，以与第一导热焊盘连接。

公开(公告)号：CN118693000A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311550400.5

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权洞煜 ,  金公明 ,  金宣澈 ,  文祭仁 ,  赵现来

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种具有增强的可靠性的半导体封装和制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括：封装衬底，包括具有中心区域和外围区域的主体层、主体层的顶表面上的第一保护层、以及外围区域中在第一保护层上的第二保护层；半导体芯片，在中心区域中以倒装芯片结构安装在第一保护层上；底部填充物，在第一保护层与半导体芯片之间的间隙中以及在连接端子之间的间隙中；中介层，在半导体芯片上；以及衬底间连接端子，在封装衬底的外围区域上并且将封装衬底电连接到中介层，其中，底部填充物具有延伸到第一保护层中的锚固结构。

公开(公告)号：CN115881651A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211175941.X

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权洞煜 ,  明宇蓝 ,  申志源 ,  崔弼盛

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

Abstract: 一种半导体封装件包括下基板，下基板具有芯片安装区域、围绕芯片安装区域的互连区域和围绕互连区域的外部区域，并且包括下布线层。第一阻焊图案具有暴露下布线层的接合区域的第一开口。半导体芯片位于芯片安装区域上并且与下布线层电连接。第二阻焊图案在互连区域和外部区域上位于第一阻焊图案上并且与半导体芯片间隔开，并且包括设置在第一开口上的第二开口。上基板覆盖半导体芯片，并且包括上布线层。垂直连接结构位于互连区域上，并且将上布线层和下布线层电连接。阻焊间隔物在外部区域上位于第二阻焊图案上。

公开(公告)号：CN115810549A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211125524.4

申请日：2022-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周炯 ,  权洞煜 ,  金宣澈 ,  金龙炫 ,  李玟在

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

Abstract: 一种制造半导体封装的方法，包括将初级半导体封装设置在台上，初级半导体封装包括附接有焊盘部分的衬底、设置在衬底上的中介层、以及设置在衬底和中介层之间的半导体芯片。接合工具设置在中介层上。接合工具包括第一区域和第一区域之外的第二区域。接合工具的第二区域对应于焊盘部分。中介层和衬底彼此接合。

公开(公告)号：CN109425764A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810863816.5

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李民雨 ,  金德谦 ,  金宰弘 ,  尹志宁 ,  朴仁奎 ,  尹浚宝 ,  权洞煜 ,  金升焕 ,  金昌根 ,  尹龙勋

IPC: G01R1/067 ,  G01R1/073 ,  G01R31/26

Abstract: 提供了半导体器件的改进的制造方法、探针卡、包括该探针卡的测试装置以及制造探针卡的方法。探针卡包括电路板、位于电路板下面的支撑件以及位于支撑件的底表面上的多个探针。每个探针具有配置为接触测试对象中包括的凸块的侧表面的尖端。支撑件可以包括位于与探针连接的底表面上的应力吸收层。半导体器件的制造可以包括：在半导体器件的主体上形成伸长的导电凸块、通过使探针的尖端接触凸块的侧表面而测试半导体器件、以及封装半导体器件。