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公开(公告)号:CN117506048A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202310705102.2
申请日:2023-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B23K3/00 , B23K3/08 , B23K1/012 , B23K101/36
Abstract: 提供了一种焊料回流设备和制造电子器件的方法。所述制造电子器件的方法,包括:提供包括多个安装区域的基板,在所述多个安装区域上将分别安装电子部件;形成穿透所述基板的多个蒸气通道孔;经由凸块将所述电子部件布置在所述基板上;加热第一传热流体以产生蒸气状态的第二传热流体;通过所述基板的所述多个蒸气通道孔供应所述蒸气状态的所述第二传热流体的至少一部分;以及使用所述蒸气状态的所述第二传热流体的所述至少一部分焊接凸块。
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公开(公告)号:CN119560476A
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202410807593.6
申请日:2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 文祭仁
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01F3/00 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体封装件包括:基板,包括绝缘层和位于绝缘层上的多个第一焊盘;半导体芯片,包括电连接到多个第一焊盘中的至少一部分第一焊盘的多个第二焊盘,多个第二焊盘在第一方向上与多个第一焊盘中的至少一部分第一焊盘交叠;以及多个凸块,位于基板的一个表面或半导体芯片的一个表面上,多个凸块中的至少一部分凸块的熔点低于多个第一焊盘中的每一者的熔点和多个第二焊盘中的每一者的熔点,其中,多个凸块包括多个第一凸块和至少一个第二凸块,多个第一凸块电连接到多个第一焊盘中的至少一部分第一焊盘或多个第二焊盘中的至少一部分第二焊盘,至少一个第二凸块的磁导率高于多个第一凸块中的每一者的磁导率。
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公开(公告)号:CN118693000A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202311550400.5
申请日:2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 提供一种具有增强的可靠性的半导体封装和制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括:封装衬底,包括具有中心区域和外围区域的主体层、主体层的顶表面上的第一保护层、以及外围区域中在第一保护层上的第二保护层;半导体芯片,在中心区域中以倒装芯片结构安装在第一保护层上;底部填充物,在第一保护层与半导体芯片之间的间隙中以及在连接端子之间的间隙中;中介层,在半导体芯片上;以及衬底间连接端子,在封装衬底的外围区域上并且将封装衬底电连接到中介层,其中,底部填充物具有延伸到第一保护层中的锚固结构。
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