公开(公告)号：CN100483716C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410076664.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28282

Abstract: 提供一种SONOS存储装置及其制造方法。SONOS存储装置包括基材以及形成在该基材上并具有开关和数据存储功能的多功能装置。多功能装置包括第一和第二杂质区、形成在第一和第二杂质区之间的沟道、以及形成在沟道上用于数据存储的堆栈材料。用于数据存储的堆栈材料是通过依次将隧道氧化物层、存储数据的存储节点层、阻挡层、以及电极层堆叠而成。

公开(公告)号：CN1490876A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03108490.7

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一IV族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。

公开(公告)号：CN1574360B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200410064057.4

申请日：2004-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡洙杜 ,  郑渊硕

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7887

Abstract: 本发明公开了一种具有纳米晶体层的SONOS存储器件。该SONOS存储器件包括存储型晶体管，该存储型晶体管包括在半导体衬底上具有SONOS结构的栅极。该栅极由隧道氧化物层、具有在其中俘获穿过隧道氧化物层的电荷的俘获位置的存储节点层、以及栅极电极形成。存储节点层包括由彼此分开的纳米晶体构成的晶体层以俘获电荷。

公开(公告)号：CN1252823C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN02130478.5

申请日：2002-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  蔡洙杜

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7883 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明提供了一种用量子器件形成的存储器及其制造方法。存储器包括：一衬底；形成在该衬底上的一源极区和一漏极区，以彼此隔开一预定间隔；一存储单元，形成在该衬底的表面上以连接该源极区和该漏极区，并具有填充有用于储存电子的材料的多个纳米尺度的量子点；以及一控制栅极，该控制栅极形成在存储单元上，并控制储存在该存储单元中的电子数。通过提供具有纳米尺度的量子点的存储器及其制造方法，可以实现高效且高度集成的存储器。

公开(公告)号：CN1670960A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510054278.8

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩桢希 ,  蔡洙杜 ,  田尚勋

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种存储器件及其制造方法。该存储器件包括：半导体衬底；第一杂质区和第二杂质区，其通过注入杂质到所述半导体衬底中形成；以及栅结构，其形成在所述第一杂质区与所述第二杂质区之间的所述半导体衬底上。栅结构包括具有浮栅的电介质层、及栅电极。电介质层是非对称的，并具有高效率和低功耗的电子陷阱。

公开(公告)号：CN1585132A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410079460.4

申请日：2004-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金桢雨 ,  李兆远 ,  金汶庆

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/0466

Abstract: 本发明公开了一种SONOS存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了SONOS存储器件的性能。

公开(公告)号：CN1385904A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02100922.8

申请日：2002-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金炳晚 ,  金汶庆 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/772 ,  H01L21/82

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底,以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层,在下层上形成的单电子储存介质,用来储存隧穿通过下层的单个电子,一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层,以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。

公开(公告)号：CN100353556C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410064028.8

申请日：2004-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金桢雨 ,  李正贤 ,  金汶庆 ,  黄显相

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，它包括具有以预定距离隔开的源区和漏区的半导体衬底，以及形成在衬底上的源区和漏区之间的栅极叠层，栅极叠层的一端接触源区而栅极叠层的另一端接触漏区，其中，栅极叠层包括：隧道层；掺杂以预定第一掺杂杂质、具有比氮化物(Si3N4)膜更高的介电常数的第一俘获材料膜；具有比氮化物膜更高的介电常数的第一绝缘膜；以及栅电极，所有这些膜被顺序淀积到衬底上。本发明还提供了一种能够根据掺杂浓度来有效控制俘获密度的非易失性半导体存储器件，从而在较低的工作电压下提高数据的写入/抹去速度。

公开(公告)号：CN1326244C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN03108490.7

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一Ⅳ族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。

公开(公告)号：CN1776914A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510084792.6

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金汶庆 ,  李兆远 ,  金桢雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供了多位非易失性存储器件及其操作方法和制造方法。存储器件包括形成在半导体衬底内的沟道区及与沟道区形成肖特基接触的源极和漏极。而且，中心栅极电极位于沟道区的一部分上，且第一和第二侧壁栅极电极沿着中心栅极电极的外侧形成在沟道区上。第一和第二存储节点形成在沟道区和侧壁栅极电极之间。