公开(公告)号：CN102904560B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201210201495.5

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暎 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  安承彦

IPC: H03K17/78 ,  H01L27/146 ,  G06F3/042 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14616 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1136

Abstract: 本发明涉及光感测电路、装置及方法、图像获取装置及光触摸屏装置。在简化的光感测电路、包括光感测电路的光感测装置、驱动光感测装置的方法、以及包括光感测装置的光触摸屏装置和图像获取装置中，光感测电路包括针对每个像素包括沟道层的氧化物半导体晶体管，该沟道层包含氧化物半导体材料。氧化物半导体晶体管作为感测光的光感测器件和输出光感测数据的开关两者来操作。

公开(公告)号：CN103852088A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310632826.5

申请日：2013-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任洙澈 ,  朴浚我 ,  田尚勋 ,  朴钟辰 ,  任正均

IPC: G01D5/12 ,  G01D5/241 ,  G01L1/14

CPC classification number: G01L1/142 ,  G01L9/0072 ,  G06F3/0338 ,  H03K17/975

Abstract: 一种触觉传感器包括：第一基板，包括多个第一电极；第二基板，包括与多个第一电极对应的多个第二电极；以及介电物质，设置在第一基板和第二基板之间，其中，与第一电极中的任一个对应的第二电极相对于第一电极中的所述任一个在一个方向上偏离，而与邻近第一电极中的所述任一个的另一个第一电极对应的第二电极在另一个方向上偏离。

公开(公告)号：CN100552899C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610068130.4

申请日：2006-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金奎植 ,  金桢雨 ,  朴星昊 ,  闵若瑟 ,  韩祯希

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。

公开(公告)号：CN100533742C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510119953.0

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  韩桢希 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/513 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 一种非易失半导体存储器件，它包括具有源区、漏区和在源区和漏区之间提供的沟道区的衬底，以及位于沟道区上部的栅极堆叠和位于栅极堆叠上部的金属栅极。金属栅极是由相对栅极堆叠的复合层具有特定金属逸出功的金属构成的，以使电子通过直接隧穿效应贯穿阻挡层的整个厚度。栅极堆叠优选地包括一种选自由ONO、ONH、OHH、OHO、HHH或HNH构成的多层堆叠组的多层堆叠，其中O为氧化物材料、N为SiN、H为高κ材料。

公开(公告)号：CN1790669A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120298.0

申请日：2005-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  金元柱 ,  田尚勋

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/24 ,  Y10S438/947

Abstract: 提供了一种制造包括电阻变化层作为存储节点的存储器件的方法。所述方法包括：在底层上依次堆叠导电材料层、二极管层和数据存储层；在所述数据存储层上形成第一材料层；在所述第一材料层中形成暴露所述数据存储层的第一孔；在所述第一孔的侧壁上用第二材料层形成第一隔片；用第三材料层填充所述第一孔并覆盖所述第一隔片；除去所述第一材料层；在所述第一隔片的侧壁上用第四材料层形成第二隔片；除去所述第三材料层；以及使用所述第一和第二隔片作为掩模在第一堆叠结构中形成暴露底层的第二孔。这些操作结果形成了位线，然后形成字线。

公开(公告)号：CN1790640A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510107641.8

申请日：2005-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种擦除效率改善的非易失存储器及其制备方法。该方法包括：在半导体衬底上形成隧道电介质层、电荷俘获层、电荷阻挡层和栅极的叠层结构；以及进行使用氧或CF4的等离子体或离子注入的栅极的后处理来增加形成栅极的材料的功函数。根据本发明，由于形成栅极的金属层的功函数还可以得到增加，所以可抑制在擦除操作期间的电子后隧穿。

公开(公告)号：CN1691333A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067488.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28202 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有介电多层结构的具有提高的运行特性和数据保持能力的存储器件及其制造方法。在该具有介电多层结构并具有半导体基板的存储器件中，第一杂质区域和第二杂质区域形成在半导体基板的两边，栅极结构形成在半导体基板上并与第一杂质区域和第二杂质区域相接触。栅极结构包括隧穿氧化层，形成在隧穿氧化层上的电荷存储层，形成在电荷存储层上并包括两个以上介电层的绝缘层，以及形成在绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN103311358B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210557016.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  安承彦

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L31/1136 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4473 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供了感光晶体管、使用感光晶体管的显示面板、及感光晶体管的制造方法。感光晶体管包括：栅极层；栅绝缘层，在栅极层上；沟道层，在栅绝缘层上；蚀刻停止层，在沟道层的部分区域上；源极和漏极，在沟道层上并彼此分离开，其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间；以及钝化层，覆盖源极、漏极和蚀刻停止层，其中源极与蚀刻停止层分离开。

公开(公告)号：CN103311358A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210557016.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  安承彦

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L31/1136 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4473 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供了感光晶体管、使用感光晶体管的显示面板、及感光晶体管的制造方法。感光晶体管包括：栅极层；栅绝缘层，在栅极层上；沟道层，在栅绝缘层上；蚀刻停止层，在沟道层的部分区域上；源极和漏极，在沟道层上并彼此分离开，其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间；以及钝化层，覆盖源极、漏极和蚀刻停止层，其中源极与蚀刻停止层分离开。

公开(公告)号：CN103247693A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310047408.X

申请日：2013-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  安承彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L29/45 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。