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公开(公告)号：CN119521734A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410449365.6
申请日：2024-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案，其位于有源图案上，沟道图案包括彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，其电连接到多个半导体图案；内部栅电极，其位于多个半导体图案中的相邻的第一半导体图案与第二半导体图案之间；内部栅极绝缘层，其位于内部栅电极与第一半导体图案和第二半导体图案之间；内部高k电介质层，其位于内部栅电极与内部栅极绝缘层之间；以及内部间隔件，其位于内部栅极绝缘层与源极/漏极图案之间。由于内部栅极绝缘层包括内部栅极间隔件，因此内部栅电极可以稳定地填充内部栅极空间。结果，可以改善半导体装置的电特性。
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公开(公告)号：CN117594600A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310550260.5
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括NMOSFET区和PMOSFET区；分别位于NMOSFET区和PMOSFET区上的第一沟道图案和第二沟道图案，其各自包括彼此间隔开并且竖直地堆叠的相应的半导体图案；位于NMOSFET区和PMOSFET区上并且分别连接到第一沟道图案和第二沟道图案的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；以及栅电极，其位于第一沟道图案和第二沟道图案上。栅电极包括在第一沟道图案的相邻半导体图案之间的第一内电极和在第二沟道图案的相邻半导体图案之间的第二内电极。第一内电极的顶表面比第二内电极的顶表面更凸出。
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公开(公告)号：CN118173518A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311420224.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了能提高元件性能和可靠性的半导体器件。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案和在有源图案上在第一方向上彼此隔开的多个栅极结构。每个栅极结构包括在第二方向上延伸的栅电极、栅电极的侧壁上的栅极间隔物和设置在相邻栅极结构之间的源极/漏极图案。栅极结构包括半导体衬垫层和半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层和半导体填充层由硅锗形成。半导体填充层包括在第三方向上突出超过有源图案的上表面的上部。半导体填充层的上部在第一方向上的最大宽度大于有源图案的上表面上的半导体填充层在第一方向的宽度。半导体衬垫层包括与有源图案接触的外表面和面向半导体填充层的内表面。在平面图中，半导体衬垫层的内表面包括凹区域。
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公开(公告)号：CN109003975B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810467183.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，彼此间隔开并在第一鳍型图案及第二鳍型图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及共享外延图案，在第一栅极结构与第二栅极结构之间连接第一鳍型图案与第二鳍型图案，其中所述共享外延图案的上表面包括：第一共享斜坡及第二共享斜坡，连接第一栅极结构与第二栅极结构；第三共享斜坡，接触第一栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡；以及第四共享斜坡，接触第二栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡。
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公开(公告)号：CN116487429A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211558963.4
申请日：2022-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，包括沿第一方向延伸的下图案和在第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；栅极结构，在下图案上且包括栅极绝缘层、栅极间隔件和沿与第一方向垂直的第三方向延伸的栅电极；源极/漏极图案，在下图案上且与每个片图案和栅极绝缘层接触；以及第一蚀刻阻挡图案，在栅极间隔件与源极/漏极图案之间。栅极间隔件包括面对栅电极并沿第三方向延伸的内侧壁和沿第一方向从栅极间隔件的内侧壁延伸的连接侧壁。源极/漏极图案包括在半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层与片图案接触且包括从栅极间隔件的连接侧壁延伸的刻面表面。第一蚀刻阻挡图案与半导体衬垫层的刻面表面和连接侧壁接触。
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公开(公告)号：CN106252351B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201610172033.3
申请日：2016-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：栅极组件，设置在器件隔离层上；栅极分隔件，设置在栅极组件的侧表面上；接触组件，设置在栅极分隔件上；气隙，设置在器件隔离层和接触组件之间；第一分隔件覆盖层，设置在栅极分隔件和气隙之间。第一分隔件覆盖层相对于栅极分隔件具有蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN118299378A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311487668.9
申请日：2023-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括有源图案；有源图案上的沟道图案；沟道图案上的源极/漏极图案；沟道图案上的栅电极；以及沟道图案和栅电极之间的栅极电介质层。栅电极包括在相邻的第一半导体图案和第二半导体图案之间的内电极。栅极电介质层包括围绕栅电极的内电极的高k电介质层和高k电介质层上的内间隔件。内间隔件包括高k电介质层和第二半导体图案之间的第一水平部分、高k电介质层和源极/漏极图案之间的第一竖直部分、以及将第一水平部分连接到第一竖直部分的第一拐角部分。
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公开(公告)号：CN110600551B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910505912.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/088 , H01L27/02 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上的多个有源图案。该半导体器件可以包括限定所述多个有源图案的器件隔离层、与所述多个有源图案交叉延伸的栅电极、以及在有源图案上的源极/漏极图案。所述多个有源图案可以包括第一有源图案和第二有源图案。源极/漏极图案包括在第一有源图案上的第一部分、在第二有源图案上的第二部分、以及从第一部分延伸并沿着第一有源图案的上部延伸的第三部分。器件隔离层包括在源极/漏极图案之下在第一有源图案的侧壁上的第一外部区段。第三部分的底表面的最低水平可以低于第一外部区段的顶表面的最高水平。
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公开(公告)号：CN112349716A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010267941.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。
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