公开(公告)号：CN118299378A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311487668.9

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  李善英 ,  朴铉雨

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括有源图案；有源图案上的沟道图案；沟道图案上的源极/漏极图案；沟道图案上的栅电极；以及沟道图案和栅电极之间的栅极电介质层。栅电极包括在相邻的第一半导体图案和第二半导体图案之间的内电极。栅极电介质层包括围绕栅电极的内电极的高k电介质层和高k电介质层上的内间隔件。内间隔件包括高k电介质层和第二半导体图案之间的第一水平部分、高k电介质层和源极/漏极图案之间的第一竖直部分、以及将第一水平部分连接到第一竖直部分的第一拐角部分。

公开(公告)号：CN119967859A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202410844298.8

申请日：2024-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  朴铉雨 ,  李善英

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；有源图案，在基底上在第一水平方向上延伸；多个纳米片，在有源图案上堆叠为在竖直方向上彼此间隔开；栅电极，在有源图案上在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，栅电极围绕所述多个纳米片；源极/漏极区域，在栅电极的至少一侧上设置在有源图案上；第一内间隔件，在所述多个纳米片之间设置在源极/漏极区域与栅电极之间，第一内间隔件与源极/漏极区域接触；以及第二内间隔件，在所述多个纳米片之间设置第一内间隔件与栅电极之间，第二内间隔件包括与第一内间隔件的材料不同的材料，第二内间隔件的上表面和下表面中的每个与第一内间隔件接触。