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    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
    3.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY 有权
    磁性元件和磁记忆

    公开(公告)号：US20140264673A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：US14193340

    申请日：2014-02-28

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Eiji Kitagawa ,  Takao Ochiai ,  Kay Yakushiji ,  Makoto Konoto ,  Hitoshi Kubota ,  Shinji Yuasa ,  Takayuki Nozaki ,  Akio Fukushima

    IPC分类号： H01L43/10

    CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes a first magnetic layer having a variable magnetization direction; a second magnetic layer having an invariable magnetization direction; and a tunnel barrier layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and including an MgFeO film, wherein the MgFeO film contains at least one element selected from a group consisting of Ti, V, Mn, and Cu.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层; 具有不变磁化方向的第二磁性层; 以及隧道势垒层，设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间并且包括MgFeO膜，其中所述MgFeO膜含有选自由Ti，V，Mn和Cu组成的组中的至少一种元素。

    Magnetic memory
    8.
    发明授权
    Magnetic memory 有权
    磁记忆

    公开(公告)号：US09230628B2

    公开(公告)日：2016-01-05

    申请号：US14198982

    申请日：2014-03-06

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Naoharu Shimomura ,  Eiji Kitagawa ,  Minoru Amano ,  Daisuke Saida ,  Kay Yakushiji ,  Takayuki Nozaki ,  Shinji Yuasa ,  Akio Fukushima ,  Hiroshi Imamura ,  Hitoshi Kubota

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/155 ,  H01F10/32 ,  H01F10/12

    CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/155 ,  G11C11/165 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic memory according to an embodiment includes at least one MTJ element, the MTJ element including: a magnetic multilayer structure including a first magnetic layer in which a direction of magnetization is fixed, a second magnetic layer in which a direction of magnetization is changeable, and a tunnel barrier layer located between the first and second magnetic layers; a first electrode provided on a first surface of the magnetic multilayer structure; a second electrode provided on a second surface of the magnetic multilayer structure; an insulating film provided on a side surface of the magnetic multilayer structure; and a control electrode provided on the side surface of the magnetic multilayer structure with the insulating film located therebetween, a voltage being applied to the control electrode in a read operation, which increases an energy barrier for changing the magnetization of the second magnetic layer.

    摘要翻译： 根据实施例的磁存储器包括至少一个MTJ元件，MTJ元件包括：磁性多层结构，其包括其中固定有磁化方向的第一磁性层，磁化方向可变的第二磁性层， 以及位于所述第一和第二磁性层之间的隧道势垒层; 设置在所述磁性多层结构的第一表面上的第一电极; 设置在所述磁性多层结构的第二表面上的第二电极; 设置在所述磁性多层结构的侧面的绝缘膜; 以及设置在所述磁性多层结构的侧表面上的绝缘膜位于它们之间的控制电极，在读取操作中将电压施加到所述控制电极，这增加了用于改变所述第二磁性层的磁化的能量势垒。